Исследование глубоких уровней в CdHgTe методом туннельного тока фотодиодов
Туринов В.И.1
1Научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 21 августа 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.
На фотодиодах CdxHg1-xTe при исследовании туннельного тока Jt через уровни в запрещенной зоне определены их энергии залегания Et-Ev и концентрация Nt. Практически для всех фотодиодов характерно наличие мелких акцепторных уровней с Et-Ev=8-12 мэВ, создаваемых однозарядными вакансиями VHg+. В ряде фотодиодов были отмечены глубокие уровни Et=Ev+0.26Eg, проявляющие себя как рекомбинационные. Были обнаружены еще и более глубокие уровни Et=Ev+0.6Eg, которые могут вести себя и как рекомбинационные, и как глубокие ловушки с малым сечением захвата дырок.
- M.A. Kinch. J. Vac. Sci. Technol., 21, 215 (1982)
- E. Finkman, Y. Nemirovsky. J. Appl. Phys., 59, 1205 (1986)
- B. Schlicht, A. Alpsancar, G. Nimtz, N.F. Schroeder. Proc. 4th Int. Conf. Physics of Narrow-Gap Semiconductors (Springer, Berlin, 1981) p. 439
- R. Faston, Y. Nemirovsky. J. Vac. Sci. Technol. A, 8, 1245 (1990)
- C.E. Jones, V. Nair, J. Lingquist, D.L. Polla. J. Vac. Sci. Technol., 21, 187 (1982)
- C.E. Jones, K. James, J. Merz, R. Braunstein, M. Burd, M. Eetemadi, S. Hutton, J. Drumheller. J. Vac. Sci. Technol. A, 3, 131 (1985)
- D.L. Polla, C.E. Jones. J. Appl. Phys., 52, 5118 (1981)
- D.L. Polla, C.E. Jones. J. Appl. Phys., 51, 6233 (1980)
- P.K. Chakraborty. Sol. St. Electron., 34, 665 (1991)
- J.Y. Wong. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-27, 48 (1980)
- W.W. Anderson, H.J. Hoffman. J. Vac. Sci. Technol. A, 1, 1730 (1983)
- В.И. Туринов. Электрон. техн., сер. 11 Лазерная техника и оптоэлектрон., 4, 61 (1989)
- П.В. Бирюлин, В.И. Кошелева, В.И. Туринов. ФТП, 38, в печати (2004)
- C.T. Sah. Phys. Rev., 123, 1594 (1961)
- M.A. Kinch, D.D. Buss. J. Phys. Chem. Sol. Suppl 1, 32, 461 (1971)
- H. Overhof. Phys. St. Sol. B, 43, 315 (1971)
- E.O. Kanе. J. Phys. Chem. Sol., 1, 249 (1957)
- M.Y. Pines, O.M. Stafsudd. Infr. Phys., 20, 73 (1979)
- M.A. Berding, A. Sher, A.-B. Chen. J. Vac. Sci. Technol. A, 5, 3009 (1987)
- V.A. Cotton, J.A. Wilson, C.E. Jones. J. Appl. Phys., 58, 2208 (1985)
- П.В. Бирюлин, В.И. Туринов, Е.Б. Якимов. ФТП, 38, 890 (2004)
- M. Cutler, H.M. Bath. Proc. IRE, 45, 39 (1957)
- П.В. Бирюлин, С.А. Дудко, С.А. Коновалов, Ю.А. Пелевин, В.И. Туринов. ФТП, 37, 1431 (2003)
- S.P. Tobin, S. Iwasa, T. Tredwell. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-27, 43 (1980)
- T.N. Casselman. J. Appl. Phys., 52, 848 (1981)
- M.A. Kinch, M.J. Brau, A. Simmons. J. Appl. Phys., 44, 1649 (1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук