"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
АСМ визуализация нанокристаллов Si в термическом окисле SiO2 с помощью селективного травления
Дунаевский М.С.1, Grob J.J.2, Забродский А.Г.1, Laiho R.3, Титков А.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Laboratoire PHASE, Universite Louis Pasteur, BP20CR, Strasbourg, France
3Wihuri Laboratory, Turku University, Turku, Finland
Поступила в редакцию: 22 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.

Методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) исследовались топография и локальная твердость протравленных поверхностей слоев термического окисла SiO2, содержащих в объеме нанокристаллы Si. Нанокристаллы Si (Si-НК) были получены имплантацией в окисел ионов Si+ с последующим высокотемпературным отжигом. Показано, что применение селективного травления, удаляющего материал окисла, позволяет выявлять Si-НК, которые проявляются в рельефе протравленных поверхностей в виде нанобугорков высотой до 2--3 нм. Эти значения примерно соответствуют среднему радиусу Si-НК в слое окисла SiO2. Независимое подтверждение наблюдения Si-НК было получено при сопоставлении топографии протравленных поверхностей с полученными для них картами локальной твердости, в которых бугорки Si-НК проявляются как места поверхности с меньшей твердостью. В работе также наблюдалось фазовое выделение имплантированного Si в виде протяженных кластеров плоской формы, ориентированных в толще окисла параллельно его поверхности. Найденный способ выявления встроенных в окисел Si-НК и кластеров открывает удобную возможность изучения закономерностей зародышевого роста и спинодального распада в твердом растворе Si в окисле SiO2.
  • D. Muller, P. Knapek, J. Faure, J.J. Grob, B. Honerlage, I. Pelant. Nucl. Instr. a Meth. in Physics Research B, 148, 997 (1999)
  • P. Protopoulps, A.G. Nassiopoulou. Appl. Phys. Lett., 77, 1816 (2000)
  • Yi Shi, K. Ishikuro, T. Hiramoto. J. Appl. Phys., 84, 2358 (1998)
  • E. Kapetanakis, P. Normand, D. Tsoukas, K. Beltsios, J. Stoemenos, S. Zhang. Appl. Phys. Lett., 77, 3450 (2000)
  • G. Ben Assayag, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie, P. Normand. Appl. Phys. Lett., 82, 200 (2003)
  • А.А. Бухараев, Н.И. Нургазизов, А.В. Сугоняко. Микроэлектроника, 31, 121 (2002)
  • I.A. Karpovich, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, D.O. Filatov, S.V. Levichev, A.V. Zdoroveishev, V.A. Perevoshikov. Phys. Low-Dim. Structur., 3, 4, 341 (2001)
  • S. Guha. J. Appl. Phys., 84, 5210 (1998)
  • M.L. Brongersma, A. Polman, K.S. Min, H.A. Atwater. J. Appl. Phys., 86, 759 (1999)
  • S. Cheylan, R.G. Elliman. Appl. Phys. Lett., 78, 1912 (2001)
  • V.J. Garcia, L. Martinez, J.M. Briceno-Valero, C.H. Schilling. Probe Microscopy, 1, 107 (1997)
  • B. Kracke, B. Damaschke. Appl. Phys. Lett., 77, 361 (2000)
  • G.D. Wilk, Yi Wei, H. Edwards, R.M. Wallace. Appl. Phys. Lett., 70, 2288 (1999)
  • M. Strobel, R.-H. Heinig, W. Moeller. Phys. Rev. B, 64, 245 422 (2001)
  • T. Mueller, R.-H. Heinig, W. Moeller. J. Appl. Phys., 81, 3049 (2002)
  • S.P. Withrow, C.W. White, D.M. Hembree, J.C. Barbour. J. Appl. Phys., 86, 396 (1999)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.