Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фоточувствительные структуры на монокристаллах HgGa₂S₄: создание и свойства

Рудь В.Ю.¹, Рудь Ю.В.², Байрамов Б.Х.², Ильчук Г.А.², Украинец В.О.², Фернелиус Н.², Шунеманн П.Г.²

¹Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 18 февраля 2004 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изготовлены и исследованы фоточувствительные структуры на основе монокристаллов n-HgGa₂S₄. Сделан вывод о перспективах применения кристаллов HgGa₂S₄ в качестве фотодекторов естественного и линейного поляризованного излучения коротковолнового спектрального диапазона.

А.Н. Георгобиани, С.И. Радауцан, Н.М. Тигиняну. ФТП, 19, 193 (1985)
В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, M.C. Ohmer, P.G. Schunemann. ФТП, 33, 1217 (1999)
P.C. Ricci, A. Aneda, R. Corping, A. Serpi, I.M. Tiginyanu, V.V. Ursaki. 13th Int. Conf. on Ternary and Multinery Compounds. Book of Abstracts. 14-18 Oct. 2002. Paris, p. 189
M.C. Ohmer, R. Pandey. MRS Bulletin, 23, 16 (1998)
P.G. Schunemann, T.M. Pollak. MRS Bulletin, 23, 23 (1998)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1978)
J.S. Blakemore. Semiconductor statistics (N. Y., Pergamon Press, 1962)
E. Hernandez. Cryst. Res. Technol., 33, 285 (1998)
Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N. Y., Wiley-Interscience Publ., 1981)
Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь, И.В. Боднарь, В.В. Шаталова, Г.А. Ильчук. ФТП, 33, 1201 (1999)
V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', M. Serginov. Phys. Status Solidi A, 121, K171 (1990)
Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 513 (1999)
В.Л. Панютин, Б.Э. Понедельников, А.Э. Розенсон, В.И. Чижиков. Изв. вузов. Физика, 22 (8), 57 (1979)
Ф.М. Гашимзаде, Д.А. Гусейнова, В.Я. Штейншрайбер. Препринт N 21, ИФ АН АзССР, Баку (1980)
Ю.В. Рудь. Изв. вузов. СССР. Физика, 29 (8), 68 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель