Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние сверхкоротких импульсов электромагнитного излучения на параметры структур металл--диэлектрик--полупроводник
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 
Поступила в редакцию: 6 апреля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.
Исследованы изменения в структурах Al/SiO2/Si, возникающие в результате воздействия импульсным электромагнитным излучением с длительностью переднего фронта импульса 1.4· 10-9 с и с общей длительностью импульса ~ 11.5· 10-9 с, частотой следования импульсов 10 кГц и различной энергией в импульсе (=<sssim 2.4· 10-4 Дж). Измерены вольт-фарадные характеристики таких структур до, во время и после воздействия сверхкороткими импульсами. В зависимости от энергии импульса обнаружены изменения во время воздействия, связанные с перестройкой неравновесной дефектной структуры границы раздела с полупроводником и поляризацией диэлектрика, а также необратимые изменения, связанные с пробоем, наблюдаемые и после выключения воздействия.
- С.Н. Рукин. ПТЭ, N 4, 5 (1999)
- А.С. Карауш, Р.В. Потемкин. Электрон. пром-сть, N 1, 93 (1998)
- В.Г. Шпак, М.И. Яландин, С.А. Шунайлов и др. Докл. РАН, N 1, 50 (1999)
- Свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник, под ред. А.В. Ржанова (М., Наука, 1976)
- Б.А. Стрюков. РЭ, N 7, 887 (2000)
- Д.А. Усанов, А.В. Скрипаль, Н.В. Угрюмова. Письма ЖТФ, 25 (1), 42 (1999)
- Д.А. Усанов, С.Б. Вениг, В.Е. Орлов. Письма ЖТФ, 25 (2), 39 (1999)
- Д.А. Усанов, А.В. Скрипаль, Н.В. Угрюмова и др. ФТП, 34 (5), 567 (2000)
- Д.А. Усанов, А.В. Скрипаль, Н.В. Угрюмова. ФТП, 32 (11), 1399 (1998)
- А.А. Беляев, А.Е. Беляев, А.А. Ермолович и др. ЖТФ, 68 (12), 49 (1998)
- В.В. Антипин, В.А. Годовицын, Д.В. Громов, А.С. Кожевников, А.А. Раваев. Зарубеж. электрон. техн., N 1, 37 (1995)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
- Е.Н. Бормонтов. Физика и метрология МДП структур (Воронеж, ВГУ, 1997)
- E.H. Nicollian, A. Goetzberger. Bell Syst. Techn. J., 46 (5), 1055 (1967)
- E.N. Bormontov, S.V. Lukin. Proc. 5th Conf. on Simulation of Devices Technologies (Obninsk, Russia, 1996) p. 35
- В.А. Терехов, Е.А. Тутов, А.Н. Манько, Э.П. Домашевская. Конд. среды и межфазн. границы, 3 (1), 86 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
