Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние параметров процесса МОГФЭ на свойства эпитаксиальных пленок GaInAsN
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Эпитаксиальные слои GaInNAs были выращены методом металлорганической газофазной эпитаксии. Структура четверных сплавов изучалась методами рентгеновской дифракции и вторичной ионной масс-спектрометрии. Оптические свойства слоев изучались методами фотолюминесценции и фототоковых измерений. Были выращены слои GaInNAs, совпадающие по параметру решетки с GaAs. При расхождении параметров решетки менее чем 10-4 слои имели хорошую фотолюминесценцию, в то время как при большем несоответствии фотолюминесценция затухлала.
- J.W. Ager III, W. Walukiewicz. Semicond. Sci. Technol., 17, 741 (2002)
- III--Vs Review, 13 (6), 25 (2000)
- А.В. Мурель, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, Д.М. Гапонова, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. Изв. РАН Сер. физ., 68, 87 (2004)
- Kurtz Sarah, R. Ready, G.D. Barber, J.F. Geisz, D.J. Fridman, W.E. McMahon, J.M. Olson. J. Cryst. Growth, 234, 318 (2002)
- D.G. Friedman, J.F. Geisz, S.R. Kurtz, J.M. Olson, R. Reedy. J. Cryst. Growth, 195, 438 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
