Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние локализации в квантовой яме на время жизни состояний мелких примесных центров
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2School of Electronic and Electrical Engineering, The University of Leeds, LS2 9JT, UK
3Department of Physics, UMIST, PO BOX 88, Manchester M60 1QD, UK
2School of Electronic and Electrical Engineering, The University of Leeds, LS2 9JT, UK
3Department of Physics, UMIST, PO BOX 88, Manchester M60 1QD, UK
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований влияния локализации в квантовой яме на время жизни состояний мелких примесных центров. Переходы между возбужденными примесными состояниями обусловлены взаимодействием с акустическими фононами, волновой вектор которых превышает локализацию волновой функции состояния в пространстве волновых векторов, и, таким образом, определяются асимптотическим поведением волновой функции примесных состояний при больших значениях волновых векторов. Показано, что локализация в квантовой яме приводит к замедлению спадания волновых функций примесных состояний в пространстве волновых векторов и может приводить к экспоненциальному уменьшению времени жизни примесных состояний с уменьшением ширины ямы. Теоретические результаты хорошо согласуются с даными экспериментальных исследований времени жизни акцепторных состояний в структурах GaAs/AlAs:Be.
- S.G. Pavlov, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin, A.V. Kirsanov, H.-W. Huebers, K. Auen, H. Riemann. Phys. Rev. Lett., 84, 5220 (2000)
- M.A. Odnoblyudov, I.N. Yassievich, M.S. Kagan, Yu.M. Galperin, K.A. Chao. Phys. Rev. Lett., 83, 644 (1999)
- W.-M. Zhang, M.P. Halsall, P. Harmer, P. Harrison, M.J. Steer. J. Appl. Phys., 92, 6039 (2002)
- W.-M. Zhang, M.P. Halsall, P. Harmer, P. Harrison, J.-P.R. Wells, I.V. Bradley, M.J. Steer. Phys. Status Solidi (b), 235, 54 (20003)
- M.P. Halsall, P. Harrison, J.-P.R. Wells, I.V. Bradley, H. Pellemans. Phys. Rev. B, 63, 155 314 (2001)
- S.V. Meshkov. ФТТ, 21, 647 (1979)
- G. Ascarelly, S. Rodriquez. Phys. Rev., 124, 1321 (1961)
- V.N. Abakumov, V.I. Perel, I.N. Yassievich. Nonradiative Recombination in Semiconductors (North--Holland, Oxford, 1991)
- D.E. Hill. J. Appl. Phys., 41, 1815 (1970)
- W.T. Masselink, Y.-C. Chang, H. Morko c. Phys. Rev. B, 32, 5190 (1985)
- A.A. Reeder, J.-M. Mercy, B.D. McCombe. IEEE J. Quant. Electron., 24, 1690 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
