Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприемников диапазона 3-5 мкм
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Исследованы особенности формирования квантовых точек InAs методом металлорганической газофазной эпитаксии в зависимости от времени роста или эквивалентной толщины слоя InAs. Методами просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции показано, что увеличение времени роста квантовых точек в матрице GaAs приводит к изменению не только их размеров, но и формы - увеличивается отношение вертикальных и латеральных размеров. Изготовлены многослойные селективно-легированные структуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками, и проведено исследование инфракрасной фотопроводимости в продольной и вертикальной геометрии электонного транспорта. В режиме нормального падения излучения наблюдалась внутризонная фотопроводимость в среднем инфракрасном диапазоне (2.5-5 мкм) до температуры 110 K.
- J. Phillips. J. Appl. Phys., 91 (7), 4590 (2002)
- H.C. Li, J.-Y. Duboz, R. Dudek, Z.R. Wasilewski, S. Fafard, P. Finnie. Physica E, 17, 631 (2003)
- S.-Y. Tang Lin, S.-C. Lee. Appl. Phys. Lett., 78 (17), 2428 (2001)
- A.D. Stiff, S. Krishna, P. Bhattacharya, S. Kennerly. Appl. Phys. Lett., 79 (3), 421 (2001)
- A.D. Stiff, S. Krishna, P. Bhattacharya, S. Kennerly. IEEE J. Quant. Electron., 37 (11), 1412 (2001)
- S.-Y. Lin, Y.-J. Tsai, S.-C. Lee. Appl. Phys. Lett., 83 (4), 752 (2003)
- B. Aslan, H.C. Liu, M. Korkusinski, S.-J. Cheng, P. Hawrylak. Appl. Phys. Lett., 82 (4), 630 (2003)
- L.D. Moldavskaya, V.I. Shashkin, M.N. Drozdov, Yu.N. Drozdov, V.M. Daniltsev, A.V. Murel, B.A. Andreev, A.N. Yablonsky, S.A. Gusev, D.M. Gaponova, O.I. Khrykin, A.Yu. Luk'yanov, E.N. Sadova. Physica E, 17, 634 (2003)
- J.S. Kim, J.H. Lee, S.U. Hong, W.S. Han, H.-S. Kwack, C.W. Lee, D.K. Oh. J. Appl. Phys., 94 (10), 6603 (2003)
- U.H. Lee, Y.D. Jang, H. Lee, D. Lee, J.S. Kim, J.Y. Leem, S.K. Noh. Physica E, 17, 129 (2003)
- В.И. Шашкин, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Л.Д. Молдавская, А.В. Мурель, А.В. Германенко, Г.М. Миньков. Тез. докл. VI Росс. конф. по физике полупроводников (Санкт-Петербург, 2003) с. 403
- G. Saint-Girons, G. Patriarche, A. Mereuta, I. Sagnes. J. Appl. Phys., 91 (6), 3859 (2002)
- G. Saint-Girons, I. Sagnes. J. Appl. Phys., 91 (12), 10 115 (2002)
- L.D. Moldavskaya, V.I. Shashkin, M.N. Drozdov, V.M. Daniltsev, A.V. Antonov, A.N. Yablonsky. Acta Phys. Polon. A, 103 (6), 579 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
