Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности структурного взаимодействия в гетероструктурах (AlGaIn)N / GaN как дислокационных фильтрах

Сошников И.П.¹, Леденцов Н.Н.¹, Цацульников А.Ф.¹, Сахаров А.В.¹, Лундин В.В.¹, Заварин Е.¹, Фомин А.В.¹, Litvinov D.¹, Hahn E.¹, Gerthsen D.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены исследования структурных взаимодействий прорастающих дислокаций и слоев AlGaN и InGaN в гетероструктурах на основе GaN. Показано, что наиболее эффективная фильтрация дислокаций наблюдается на слоях InGaN промежуточного состава. Оценки структурных напряжений, создаваемых дислокациями и нанодоменами, показывают хорошее согласие теории и эксперимента.

S. Nakamura, G. Fasol, S.J. Pearton. The Blue Laser Diode, Springer, 2000
S. Nakamura. Proc. SPIE (18th Congr. Int. Commission for Optics, July 1999), 3749, 2 (1999)
I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen. Phys. Rev. B, 66, 155 310 (2002)
X. Hu, J. Deng, N. Pala, R. Gaska, M.S. Shur, C.Q. Chen, J. Yang, G. Simin, M.A. Khan, J.C. Rojo, L.J. Schowalter. Appl. Phys. Lett., 82, 1299 (2003)
M.S. Shur, A.D. Bykhovski, R. Gaska, M.A. Khan, J.W. Yang. Appl. Phys. Lett., 76, 3298 (2000)
H. Amano, I. Akasaki. Opt. Mater., 19, 219 (2001)
H. Marchand, X.H. Wu, J.P. Ibbetson, P.T. Fini, P. Kozodoy, S. Keller, J.S. Speck, S.P. DenBaars, U.K. Mishra. Appl. Phys. Lett., 73, 747 (1998)
D. Huang, M.A. Reshchikov, F. Yun, T. King, A.A. Baski, H. Morko c. Appl. Phys. Lett., 80, 216 (2002)
M.D. Craven, S.H. Lim, F. Wu, J.S. Speck, S.P. DenBaars. Appl. Phys. Lett., 81, 1201 (2002)
E. Bellet-Amalric, C. Adelmann, E. Sarigiannidou, J.L. Rouvi\`ere, G. Feuillet, E. Monroy, B. Daudin. J. Appl. Phys., 95, 1127 (2004)
Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов, С.И. Чикичев. ФТП, 37 (5), 513 (2003)
И.П. Сошников, О.М. Горбенко, А.О. Голубок, Н.Н. Леденцов. ФТП, 35 (3), 361 (2001)
J.W. Matthews, A.E. Blackeslee. J. Cryst. Growth, 27, 11 (1974)
D.C. Houghton. J. Appl. Phys., 70, 2136 (1991)
M.M.J. Treacy, J.M. Gibson. J. Vac. Sci. Technol., B4, 1458 (1986)
D. Gerthsen, E. Hahn, B. Neubauer, V. Potin, A. Rosenauer, M. Schowalter. Phys. Status Solidi C, 0 (6), 1668 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель