"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Получение и фотоэлектрические свойства структур n-ZnO : Al/PdPc/p-Si
Ильчук Г.А.1, Никитин С.Е.1, Николаев Ю.А.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.1, Теруков Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Методами вакуумной термической сублимации фталоцианина палладия, а затем мaгнетронного осаждения пленок ZnO : Al на подложки p-Si созданы фоточувствительные структуры n-ZnO : Al/PdPc/p-Si. Исследованы механизмы токопереноса и фоточувствительность полученных структур. Сделан вывод о перспективах применения структур на основе тонких пленок PdPc при создании фоточувствительных структур, использующих контакт между полупроводниками органической и неорганической природы.
  • А.Т. Вартянян. ЖФХ, 22, 769 (1948)
  • С.С. Leznoff, A.B.P. Lever. Phthalocyanine, Properties and Application (Cambridge, VCH, 1989) p. 1
  • N.B. Mckrown. Phthalocyanine. Materials --- Syntesis, Structure and Function (Cambridge. Cambridge University Press, 1998) p. 2
  • P. Penmans, S.R. Forrest. Appl. Phys. Lett., 79, 126 (2001)
  • Г.А. Ильчук, Н.В. Климова, О.И. Коньков, С.Е. Никитин, Ю.А. Николаев, Л.М. Рудая, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, В.В. Шаманин, Т.А. Юрре. ФТП 38, 1056 (2004)
  • Yi-Qun Wu, Dong-Hong Gu, Fu-Xi Gan, Jun-Dong Wang, Nai-Sheng Chen. Chin. Phys. Lett., 19, 1700 (2002)
  • С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  • Е. Hernandez. Cryst. Res. Techn., 33, 285 (1998)
  • Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  • А.Н. Пихтин. Физические основы квантовой электроники и оптоэлектроники ( М., Высш. шк., 1983)
  • К.В. Шалимова. Физика полупроводников (Энергия, М., 1976)
  • Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1979)
  • А. Милнс, Д.Л. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник. (Мир, М. 1975).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.