"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние p-легирования активной области на температурную стабильность характеристик лазеров на InAs/GaAs-квантовых точках
Новиков И.И.1, Гордеев Н.Ю.1, Карачинский Л.Я.1, Максимов М.В.1, Шерняков Ю.М.1, Ковш А.Р.2, Крестников И.Л.2, Кожухов А.В.2, Михрин С.С.2, Леден цов Н.Н.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2NL Nanosemiconductor GmbH, Dortmund, Germany
Поступила в редакцию: 6 сентября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Проведено детальное исследование влияния легирования активной области длинноволновых лазеров на InAs--GaAs-квантовых точках акцепторной примесью на их характеристики. Показано, что увеличение степени легирования приводит к росту характеристической температуры и увеличению диапазона температурной стабильности пороговой плотности тока. В лазере со степенью легирования порядка 2·1012 см-2 акцепторов на одну плоскость квантовых точек продемонстрирована характеристическая температура 1200 K в диапазоне температур 15-75oC, а также постоянное значение дифференциальной квантовой эффективности в диапазоне температур 15-65oC. Для оптимизированной структуры максимальная достигнутая выходная мощность в непрерывном режиме составила 4.4 Вт.
  • Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
  • L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
  • L.V. Asryan, L. Luryi. IEEE J. Quant. Electron., 37, 905 (2001)
  • L.V. Asryan, R.A. Suris. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 3, 148 (1997)
  • V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Epitaxy of Nanostructures, ISBN 3.540-67817-4, Springer Series on Nanoscience and Technology (Springer, Berlin, 2003)
  • A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.R. Vasil'ev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 38, 1104 (2002)
  • K.J. Vahala, C.E. Zah. Appl. Phys. Lett., 52, 1945 (1988)
  • O.B. Shchekin, J. Ahn, D.G. Deppe. Electron. Lett., 38, 712 (2002)
  • M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin, W. Neumann. Phys. Rev. B, 62, 16 671 (2000)
  • O.B. Shchekin, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 80, 3277 (2002)
  • O.B. Shchekin, G. Park, D.L. Huffaker, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 77, 466 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.