Проведено детальное исследование влияния легирования активной области длинноволновых лазеров на InAs--GaAs-квантовых точках акцепторной примесью на их характеристики. Показано, что увеличение степени легирования приводит к росту характеристической температуры и увеличению диапазона температурной стабильности пороговой плотности тока. В лазере со степенью легирования порядка 2·1012 см-2 акцепторов на одну плоскость квантовых точек продемонстрирована характеристическая температура 1200 K в диапазоне температур 15-75oC, а также постоянное значение дифференциальной квантовой эффективности в диапазоне температур 15-65oC. Для оптимизированной структуры максимальная достигнутая выходная мощность в непрерывном режиме составила 4.4 Вт.
Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
L.V. Asryan, L. Luryi. IEEE J. Quant. Electron., 37, 905 (2001)
L.V. Asryan, R.A. Suris. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 3, 148 (1997)
V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Epitaxy of Nanostructures, ISBN 3.540-67817-4, Springer Series on Nanoscience and Technology (Springer, Berlin, 2003)
A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.R. Vasil'ev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 38, 1104 (2002)
K.J. Vahala, C.E. Zah. Appl. Phys. Lett., 52, 1945 (1988)
O.B. Shchekin, J. Ahn, D.G. Deppe. Electron. Lett., 38, 712 (2002)
M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin, W. Neumann. Phys. Rev. B, 62, 16 671 (2000)
O.B. Shchekin, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 80, 3277 (2002)
O.B. Shchekin, G. Park, D.L. Huffaker, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 77, 466 (2000)