"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Диффузионный механизм роста нановискеров GaAs и AlGaAs в методе молекулярно-пучковой эпитаксии
Цырлин Г.Э.1,2, Дубровский В.Г.2, Сибирев Н.В.1, Сошников И.П.2, Самсоненко Ю.Б.1,2, Тонких А.А.1,2, Устинов В.М.2
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 сентября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

Проведены теоретические и экспериментальные исследования процессов формирования методом молекулярно-пучковой эпитаксии нановискеров GaAs и AlGaAs на проверхности GaAs (111)B, активированной Au. Экспериментально показана возможность получения нановискеров длиной, на порядок превосходящей эффективную толщину осажденного GaAs. Обнаружено, что экспериментальная зависимость длины нановискера L от его диаметра D может иметь вид, качественно отличный от наблюдаемого при росте по механизму пар--жидкость--кристалл. Полученные в работе зависимости L(D) показывают уменьшение L при увеличении D. Обнаруженные эффекты связаны с наличием диффузионного транспорта атомов с поверхности на вершину вискера, который приводит к существенному увеличению скорости роста тонких вискеров. Развита теоретическая модель формирования нановискеров при молекулярно-пучковой эпитаксии, объединяющая механизм пар--жидкость--кристалл и диффузионную модель роста и качественно объясняющая полученные экспериментальные результаты.
  • K. Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, M. Koguchi. J. Appl. Phys., 77 (2), 447 (1995)
  • X. Duan, J. Wang, C.M. Lieber. Appl. Phys. Lett., 76 (9), 1116 (2000)
  • Y. Cui, C.M. Lieber. Science, 91, 851 (2000)
  • K. Haraguchi, T. Katsuyama, K. Hiruma, K. Ogawa. Appl. Phys. Lett., 60, 745 (1992)
  • B.J. Ohlsson, M.T. Bjork, M.H. Magnusson, K. Deppert, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 79 (20), 3335 (2001)
  • T.I. Kamins, X. Li, R. Stanley Williams. Appl. Phys. Lett., 82, 263 (2003)
  • J. Westwater, D.P. Gosain, S. Tomiya, S. Usui, H. Ruda. J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 554 (1997)
  • Y. Huang, X. Duan, Y. Cui, L.J. Lauhon, K.-H. Kim, C.M. Lieber. Science, 294, 1313 (2001)
  • L. Schubert, P. Werner, N.D. Zakharov, G. Gerth, F.M. Kolb, L. Long, U. Gosele, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett., 84, 4968 (2004)
  • А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, И.П. Сошников, В.М. Устинов. ФТП, 38 (10), 1256 (2004)
  • V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, Yu.B. Samsonenko, N.V. Sibirev, V.M. Ustinov. Phys. Status Solidi (B), 241 (7), R30 (2004)
  • A.Y. Cho, J.R. Arthur. Progr. Sol. St. Chem., 10, 157 (1975)
  • R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4 (5), 89 (1964)
  • Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара (М., Наука, 1977)
  • D.N. Mcllroy, A. Alkhateeb, D. Zhang, D.E. Aston, A.C. Marcy, M.G. Norton. J. Phys.: Condens. Matter, 16, R415 (2004)
  • Е.И. Гиваргизов, А.А. Чернов. Кристаллография, 18, 147 (1973)
  • Н.В. Сибирев, В.Г. Дубровский. Письма ЖТФ, 30 (18), 79 (2004)
  • В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Г.Э. Цырлин. Письма ЖТФ, 30 (16), 41 (2004)
  • V.G. Dubrovskii, N.V. Cibirev. Phys. Rev. E, 70 (3), 031 604 (2004)
  • W. Dittmar, K. Neumann. In: Growth and perfection of crystals, ed. by R.H. Doremus, B.W. Roberts, D. Turnball and N.Y. John (Wiley, 1958) p. 121
  • W. Dittmar, K. Neumann. Z. Elektrochem., 64, 297 (1960)
  • А.А. Чернов, Е.И. Гиваргизов, Х.С. Багдасаров, В.А. Кузнецов, Л.Н. Демьянец, А.Н. Лобачев. Современная кристаллография, т. 3: Образование кристаллов (М., Наука, 1980)
  • S. Koshiba, Y. Nakamura, M. Tsuchiya, H. Noge, H. Kano, Y. Nagamune, T. Noda, H. Sakaki. J. Appl. Phys., 76 (7), 4138 (1994)
  • T. Takebe, M. Fujii, T. Yamamoto, K. Fujita, T. Watanabe. J. Appl. Phys., 81 (11), 7273 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.