Моделировались характеристики записи / стирания и хранения заряда в элементе памяти для электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства на основе структуры кремний / оксид / кремниевая-точка / оксид / полупроводник, в котором в качестве блокирующего диэлектрика использовались SiO2 и альтернативный диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью ZrO2. Установлено, что применение альтернативного диэлектрика приводит к ряду эффектов: уменьшается паразитная инжекция из поли-Si, увеличивается поле в туннельном оксиде, появляется возможность увеличить толщину туннельного диэлектрика и, следовательно, увеличить время хранения информации, появляется возможность использовать более низкие напряжения записи / стирания. Программирование импульсом амплитудой ±11 В и длительностью 10 мс позволяет получить через 10 лет окно памяти ~3 В.
S.M. Sze. In: Future Trends in Microelectronics, ed. by S. Luryi, J. Xu and A. Zaslavsky (John Wiley \& Sons, Inc., 1999) p. 135
P. Pavan, R. Bez, P. Olivo, E. Zanony. Proc. IEEE, 85 (5), 1248 (1997)
J. Bu, M.H. White. Sol. St. Electron., 45, 113 (2001)
International Technology Roadmap, http : // public.itrs.net /, (2003)
K. Komiya, Y. Omura. J. Appl. Phys., 92 (5), 2953 (2002)
Y.I. Hanafi, S. Tiwari, I. Khan. IEEE Trans. Electron. Dev., 43 (9), 1553 (1996)
Y.-C. King, T.-J. King, C. Hu. IEEE Electron. Dev. Lett., 20 (8), 409 (1999)
B. De Salvo, G. Gibaudo, G. Pananakakis, P. Masson, T. Baron, N. Buffet, A. Fernandes, B. Guillaumot. IEEE Trans. Electron. Dev., 48 (8), 1789 (2001)
Z. Liu, C. Lee, V. Narayanan, G. Pen, E.C. Kan. IEEE Trans. Electron. Dev., 49 (9), 1614 (2002)
M. She, T.-J. King. IEEE Trans. Electron. Dev., 50 (9), 1934 (2003)
D.-W. Kim, T. Kim, S.K. Banerjee. IEEE Trans. Electron. Dev., 50 (9), 1823 (2003)
J.J. Lee, X. Wang, W. Bai, N. Lu, D.-L. Kwong. IEEE Trans. Electron. Dev., 50 (10), 2067 (2003)
G.D. Wilk, R.M. Wallace, J.M. Anthony. J. Appl. Phys., 89, 5243 (2001)
E.P. Gusev, E. Cartier, D.A. Buchanan, M. Gribelyuk, M. Copel, H. Okorn-Schmidt, C. D'Emic. Microelectronic Engin., 59, 341 (2001)
Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП транзисторов (М., Техносфера, 2002)
V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, Yu.N. Novikov. Proc. 12th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WODIM), November 18--20, Grenoble, France (2002) c. 179
V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, Yu.N. Novikov, A.L. Aseev. Микроэлектроника, 32 (2), 69 (2003)
V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, Yu.N. Novikov, A.L. Aseev, S.Y. Yoon, J.-W. Lee, E.-H. Lee, C.W. Kim. Sol. St. Electron., 47 (10), 1651 (2003)
C. Lee, S. Hur, Y. Shin, J. Ghoi, D. Park, K. Kim. Abstracts 2002 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, Nagoya, Japan (2002) c. 162
V.A. Gritsenko, E.E. Meerson, Yu.N. Morokov. Phys. Rev. B, 57, R2081 (1997)
В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП-структурах (Новосибирск, Наука, 1993)
V.V. Afanas'ev, M. Houssa, A. Stesmans, G.J. Adrianssen, M.M. Heyns. Microelectronic Engin., 59, 335 (2001)
M. Houssa, M. Tuominen, M. Naili, V. Afanasiev, A. Stesmans, S. Haukka, M.M. Heyns. J. Appl. Phys., 87, 8615 (2000)
S. Miyazaki, M. Narasaki, M. Ogasawara, M. Hirose. Microelectronic Engin., 59, 373 (2001)
В.И. Белый, В.В. Воскобойников, А.С. Гиновкер, Е.А. Криворотов, С.П. Синица. Микроэлектроника, 2, 182 (1971)