Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Дисперсия показателя преломления в кристаллах Tl_1-xCu_xGaSe₂ (0=< x=< 0.02) и Tl_1-xCu_xInS₂ (0=< x=< 0.015)

Георгобиани А.Н.¹, Матиев А.Х.², Хамхоев Б.М.²

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Ингушский государственный университет, Магас, Россия

Поступила в редакцию: 23 ноября 2004 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучена дисперсия показателя преломления в кристаллах Tl_1-xCu_xGaSe₂ (0=< x=< 0.02) и Tl_1-xCu_xInS₂ (0=< x=< 0.015) путем исследования собственной интерференции. Показано, что в исследованных кристаллах существуют области аномальной дисперсии при длинах волн, незначительно превышающих те, которыe соответствуют экситонным пикам. Установлено, что при помощи анализа собственной интерференции можно обнаружить зкситоны в этих кристаллах при комнатной температуре. Обнаружена модуляция интерференционных картин и предложено объяснение этого явления.

С.Г. Абдулова, Г.Л. Беленький, Н.Т. Мамедов. ФТП, 15, 943 (1981)
D. Muller, H. Hahn. Zs. Anorg. Allgem. Chem., 438, 258 (1978)
А.У. Мальсагов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 25, 25 (1989)
Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977) гл. 2, с. 68
Л.Н. Курбатов, Л.И. Дирочка, В.А. Сосин. ФТП, 13, 75 (1979)
А.М. Малик, З.Д. Ковалик, Г.Б. Джевский. Изв. вузов, Физика, 3, 144 (1975)
А.Н. Борец, И.М. Стахира. УФЖ, 9, 1074 (1964)
И.Б. Бандривчак, М.Н. Былый. Опт. и спектр., 40, 1078 (1976)
Т. Нарасимхамурти. Фотоупругие и электрооптические свойства кристаллов (М., Мир, 1984) гл. 5, с. 285

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель