Вышедшие номера
Исследование конструктивно-технологических особенностей изготовления малошумящих GaAs-транзисторов с длиной T-затвора 150 нм для систем передачи информации
Шестериков А.Е.1, Шестерикова Д.А.1, Ерофеев Е.В.1
1Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
Email: shesterikov.a.e@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 января 2024 г.
В окончательной редакции: 18 апреля 2024 г.
Принята к печати: 18 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 7 июля 2024 г.

Представлены результаты исследования конструктивно-технологических особенностей изготовления малошумящих транзисторов для систем передачи информации. С помощью программного комплекса Synopsys TCAD Technology Computer-Aided Design были определены оптимальные параметры слоев гетероструктуры при мольной доле индия, равной 20%, толщине барьерного слоя 18 нм, толщине канального слоя 12 нм и концентрации дельта легирования 5·1012 см-2. Было проведено исследование влияния длины рецесса подзатворной области GaAs-транзисторов на их электрические характеристики. Установлено, что с увеличением длины рецесса происходит увеличение пробивных напряжений затвор-сток транзистора. Выявлено, что дополнительная жидкостная обработка перед осаждением диэлектрика уменьшает удельную плотность тока стока и крутизну вольт-амперной характеристики, но позволяет увеличить напряжение пробоя затвор-сток транзисторов. Ключевые слова: pHEMT, малошумящий транзистор, углубление затвора, МИС, моделирование, гетероструктура.