Вышедшие номера
Гибридные сборки тиристорный ключ-полупроводниковый лазер на основе гетероструктур Al-In-Ga-As-P/InP для мощных импульсных источников лазерного излучения (1400-1500 нм)
Russian science foundation (RSF), 22-79-10159
Подоскин А.А. 1, Шушканов И.В.1, Слипченко С.О.1, Пихтин Н.А.1, Багаев Т.А.1, Светогоров В.Н.2, Рябоштан Ю.Л.2, Ладугин М.А.2, Мармалюк А.А.2, Симаков В.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Email: podoskin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 3 мая 2024 г.
Принята к печати: 6 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 7 июля 2024 г.

Разработаны и исследованы конструкции гибридных источников лазерного излучения на основе тиристорных токовых ключей и лазерных диодов. Гетероструктуры тиристорных токовых ключей и лазерных диодов были созданы с использованием технологии осаждения металлорганических соединений из газовой фазы в системах твердых растворов Al-In-Ga-As-P/InP. Для разработанных источников была продемонстрирована пиковая мощность 20 Вт при длительности импульса 65 нс и рабочем напряжении 15 В. Минимальное время задержки включения лазерной генерации относительно начала импульса тока управления составило 10 нс при амплитуде импульса тока 280 мА. Ключевые слова: тиристор, токовый ключ, импульсный полупроводниковый лазер.