Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гибридные сборки тиристорный ключ-полупроводниковый лазер на основе гетероструктур Al-In-Ga-As-P/InP для мощных импульсных источников лазерного излучения (1400-1500 нм)
Russian science foundation (RSF), 22-79-10159
Подоскин А.А.
1, Шушканов И.В.1, Слипченко С.О.1, Пихтин Н.А.1, Багаев Т.А.1, Светогоров В.Н.2, Рябоштан Ю.Л.2, Ладугин М.А.2, Мармалюк А.А.2, Симаков В.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Email: podoskin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 3 мая 2024 г.
Принята к печати: 6 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 7 июля 2024 г.
Разработаны и исследованы конструкции гибридных источников лазерного излучения на основе тиристорных токовых ключей и лазерных диодов. Гетероструктуры тиристорных токовых ключей и лазерных диодов были созданы с использованием технологии осаждения металлорганических соединений из газовой фазы в системах твердых растворов Al-In-Ga-As-P/InP. Для разработанных источников была продемонстрирована пиковая мощность 20 Вт при длительности импульса 65 нс и рабочем напряжении 15 В. Минимальное время задержки включения лазерной генерации относительно начала импульса тока управления составило 10 нс при амплитуде импульса тока 280 мА. Ключевые слова: тиристор, токовый ключ, импульсный полупроводниковый лазер.
- V. Molebny, P.F. McManamon, O. Steinvall, T. Kobayashi, W. Chen. Opt. Eng., 56 (3), 031220 (2017). DOI:10.1117/1.OE.56.3.031220
- J. Rapp, J. Tachella, Y. Altmann, S. McLaughlin, V.K. Goyal. IEEE Signal Proc. Mag., 37 (4), 62 (2020). DOI:10.1109/MSP.2020.2983772
- Safety of Laser Products --- Pt 1: Equipment Classification and Requirements, document IEC 60825-1:2014, International Electrotechnical Commission (Geneva, Switzerland, 2014)
- N. Volkov, A. Andreev, I. Yarotskaya, Y. Ryaboshtan, V. Svetogorov, M. Ladugin, A. Padalitsa, A. Marmalyuk, S. Slipchenko, A.V. Lyutetskii, D. Veselov, N. Pikhtin. Quant. Electron., 51 (2), 133 (2021). DOI:10.1070/QEL17480
- D.A. Veselov, N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, I.K. Kirichenko, A.A. Podoskin, N.V. Shuvalova, N.A. Rudova, L.S. Vavilova, M.G. Rastegaeva, T.A. Bagaev, V.N. Svetogorov, A.A. Padalitsa, Yu.L. Ryaboshtan, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk. J. Luminesc., 263, 120164 (2023). DOI: 10.1016/j.jlumin.2023.120164
- V.N. Svetogorov, Yu.L. Ryaboshtan, M.A. Ladugin, A.A. Padalitsa, N.A. Volkov, A.A. Marmalyuk, S.O. Slipchenko, A.V. Lyutetskii, D.A. Veselov, N.A. Pikhtin. Quant. Electron., 50 (12), 1123 (2020). DOI:10.1070/QEL17448
- L.W. Hallman, B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin, J.T. Kostamovaara. Electron. Lett., 57 (23), 891 (2021). DOI:10.1049/ell2.12298
- J.F. Boucher, J. J. Callahan. Laser Technology for Defense and Security Vii, 8039, 45 (2011). DOI:10.1117/12.882930
- S.O. Slipchenko, O.S. Soboleva, A.A. Podoskin, Y.K. Kirichenko, T.A. Bagaev, I.V. Yarotskaya, N.A. Pikhtin. Semiconductors, 57 (4), 288 (2023). DOI: 10.61011/FTP.2024.03.58409.6405
- S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, P.S. Gavrina, Yu.K. Kirichenko, N.V. Shuvalova, N.A. Rudova, V.A. Kapitonov, A.Yu. Leshko, I.V. Shushkanov, V.V. Zolotarev, V.A. Kryuchkov, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, I.V. Yarotskaya, V.N. Svetogorov, Yu.L. Ryaboshtan, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. Techn. Phys. Lett., 49 (3), 231 (2023). DOI: 10.1134/S106378502390087X
- S. Slipchenko, M. Ladugin, A. Marmalyuk, V. Simakov, A. Podoskin, V. Golovin, P. Gavrina, V.V. Shamakhov, D. Nikolaev, V.V. Zolotarev, N. Pikhtin, T. Bagaev. IEEE Trans. Electron Dev., 68 (6), 2855 (2021). DOI: 10.1109/TED.2021.3072606
- L.A. Coldren, S.W. Corzine, M.L. Mashanovitch. Diode lasers and photonic integrated circuits (Hoboken-N. J., John Wiley \& Sons, 2012)
- S.O. Slipchenko, O.S. Soboleva, V.S. Golovin, N.A. Pikhtin. Quant. Electron., 53 (1), 17 (2023). DOI:10.3103/S1068335623170153
- R.P. Feynman, R.B. Leighton, M. Sands. Electromagnetism and Matter, Basic Books, 2010
- С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, И.В. Шушканов, В.А. Крючков, А.Э. Ризаев, М.И. Кондратов, А.Е. Гришин, Н.А. Пихтин, Т.А. Багаев, В.Н. Светогоров, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, В.А. Симаков. Письма ЖТФ, 50 (4), 43 (2024)
- S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, V.S. Golovin, N.A. Pikhtin, P.S. Kop'ev. IEEE Phot. Technol. Lett., 33 (1), 7 (2020). DOI:10.1109/LPT.2020.3040063
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
