Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2005, выпуск 7 » Статья стр. 885
<<<>>>
Высокомощные синие флип--чип светодиоды на основе AlGaInN
Закгейм Д.А.1, Смирнова И.П.1, Рожанский И.В.1, Гуревич С.А.1, Кулагина М.М.1, Аракчеева Е.М.1, Онушкин Г.А.2, Закгейм А.Л.2, Васильева Е.Д.3, Иткинсон Г.В.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур, Санкт-Петербург, Россия
3ЗАО "Светлана--Оптоэлектроника", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.
PDF версия
Сообщается о разработке конструкции и изготовлении светодиодного кристалла большой мощности с площадью активной области 1 мм2, излучающего на длине волны 460 нм. Конструкция кристалла разработана на основе численного моделирования и предназначается для монтажа флип-чип. Применение двухуровневой разводки n-контакта позволило получить рекордно низкое значение последовательного сопротивления (0.65 Ом) и высокую однородность распределения тока накачки. Светодиоды на основе разработанной конструкции работают в непрерывном режиме в диапазоне токов 0-2 А, при этом максимальная выходная оптическая мощность составила 430 мВ.
  1. M. Yamada, T. Mitani, Y. Narukawa, S. Shioji, I. Niki, S. Sonobe, K. Deguchi, M. Sano, T. Mukai. Jap. J. Appl. Phys., 41, L 1431 (2002)
  2. J.J. Wierer, D.A. Steigerwald, M.R. Krames, J.J.O'Shea, M.J. Ludowise, G. Christenson, Y.-C. Shen, C. Lowery, P.S. Martin, S. Subramanya, W. Gotz, N.F. Gardner, R.S. Kern, S.A. Stockman. Appl. Phys. Lett., 78, 3379 (2001)
  3. V. Harle, B. Hahn, J. Baur, M. Fehrer, A. Weimar, S. Kaiser, D. Eisert, F. Eberhard, A. Plossl, S. Bader. Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 5187, 34 (2004); http://compoundsemiconductor.net/articles/news/7/9/4/1
  4. T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E.L. Hu, S.P. DenBaars, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 84, 855 (2004)
  5. Y.C. Shen, J.J. Wierer, M.R. Krames, M.J. Ludowise, M.S. Misra, F. Ahmed, A.V. Kim, G.O. Mueller, J.C. Bhat, S.A. Stockman, P.S. Martin. Appl. Phys. Lett., 82, 2221 (2003)
  6. J.J. Wierer, M.R. Krames, J.E. Epler, N.F. Gardner, M.G. Craford, J.R. Wendt, J.A. Simmons, M.M. Sigalas. Appl. Phys. Lett., 84, 3885 (2004)
  7. I.P. Smirnova, D.A. Zakheim, I.V. Rozhanskii, M.M. Kulagina, E.M. Arakcheeva, S.A. Gurevich, A.L. Zakheim, E.D. Vasil'eva, G.V. Itkinson. Proc. Int. Symp. " Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 2004) p. 99
  8. V.A. Zabelin, D.A. Zakheim, S.A. Gurevich. IEEE J. Quant. Electron., 40, 1675 (2004).
  9. T.A. Davis. UMFPACK Version 4.1 User Guide; http://www.cise.ufl.edu/research/sparse/umfpack/ (2003)
  10. Г.А. Онушкин, Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.Л. Закгейм. Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы. Тез. докл. 3-й Всеросс. конф. (М., 2004), с. 96
  11. Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, Е.М. Аракчеева, М.М. Кулагина, С.А. Гуревич, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы. Тез. докл. 3-й Всеросс. конф. (М., 2004) с. 138
  12. T. Serikawa, T. Yachi. J. Electrochem. Soc., 131, 2105 (1984)
  13. LuxeonoledR III Emitter, Technical Datasheet DS45; http://www.lumileds.com/pdfs/DS45.PDF

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme