В результате исследования температурной зависимости дрейфовой подвижности носителей заряда в пленках AsSe, претерпевающих фотоструктурные превращения, получено обратимое фотоиндуцированное изменение величин подвижности и ее энергии активации. Установлено, что значения дрейфовой подвижности и энергии активации зависели от условий отжига образцов. Форма импульсов дрейфа свидетельствовала об увеличении степени дисперсионности переноса в облученных и отожженных после облучения пленках. Получены значения концентрации и энергии локализованных состояний, контролирующих перенос в пленках AsSe до и после облучения. Полученные данные свидетельствуют о возможности управления основными параметрами ловушек для носителей заряда.
R. Chang. Mater. Res. Bull., 2, 145 (1967)
S.A. Keneman. Appl. Phys. Lett., 19, 205 (1971)
K. Tanaka. J. Non-Cryst. Sol., 35/36, 1023 (1980)
Б.Т. Коломиец, В.М. Любин, В.П. Шило. Физика и химия стекла, 4, 351 (1978)
V.L. Averyanov, B.T. Kolomiets, V.M. Lyubin, M.A. Taguyrdzhanov. Proc. 7th Int. Conf. Amorph. and Liq. Semicond., ed. by W.E. Spear (Edinburgh, 1977) p. 802
K. Shimakawa, S. Inami, S.R. Elliott. Phys. Rev. B, 42, 11 857 (1990)
А.В. Колобов, К. Шимакава. В сб.: Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996) с. 365
A.V. Kolobov, J. Tominaga. J. Optoelectron. and Adv. Mater., 4, 679 (2002)
W.E. Spear. J. Non Cryst. Sol., 1, 197 (1969)
Э.А. Лебедев, Л.П. Казакова. В сб.: Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996) с. 141
G. Pfister, H. Scher. Adv. Phys., 27, 747 (1978)
L.P. Kazakova, L. Toth, M.A. Taguyrdzhanov. Phys. Status Solidi A, 71, K107 (1982)
Н.Ф. Мотт, Э.А. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982). [Пер. с англ.: N. Mott, E. Davis. Electronic processes in non-cryst. solids]
R.A. Street, N.F. Mott. Phys. Rev. Lett., 35, 1293 (1975)
M. Kastner, D. Adler, H. Fritzsche. Phys. Rev. Lett., 37, 1504 (1976)
В.И. Архипов, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, А.И. Руденко. ФТП, 21, 724 (1987)
L. Toth. Proc. Int. Conf. Amorph. Semicond.-84 (Gabrovo, 1984). v. 1. p. 236