Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2024, выпуск 5 » Статья стр. 272
<<<>>>
Воспроизводимость электрофизических характеристик транзисторных структур на основе гетеросистемы графен-CaF2-Si(111)
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), АНФ_а, 21-52-14007
Векслер М.И.1, Илларионов Ю.Ю.1,2, Банщиков А.Г.1, Knobloch T.2, Иванов И.А.1, Grasser T.2, Соколов Н.С.1, Юсупова Ш.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт микроэлектроники Технического университета гор. Вены, Вена, Австрия
Email: vexler@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 7 июня 2024 г.
Принята к печати: 7 июля 2024 г.
Выставление онлайн: 6 сентября 2024 г.
PDF версия
Изучены статистические распределения тока в серии транзисторных структур с двумерными пленками графена поверх изолирующего слоя фторида кальция, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотренное сочетание материалов является новым в данной сфере. Полученные характеристики структур оказались в достаточной мере привлекательными, а величины вариации их параметров (дисперсия тока стока, разброс положения точки зарядовой нейтральности по току и напряжению) вполне допустимыми. Исследования в указанной области значимы для развития "двумерной" электроники, основанной на транзисторах, прототипами которых служат структуры обсуждаемого типа. Ключевые слова: 2D электроника, графен, фторид кальция, надёжность.
  1. Ю.Ю. Илларионов, А.Г. Банщиков, Т. Knobloch, И.А. Иванов, Т. Grasser, Н.С. Соколов, М.И. Векслер. Письма ЖТФ, 50 (4), 27 (2024). DOI: https://doi.org/10.61011/PJTF.2024.04.57097.19739
  2. Y.Y. Illarionov, T. Knobloch, B. Uzlu, A.G. Banshchikov, I.A. Ivanov, V. Sverdlov, M. Otto, L.S. Stoll, M.I. Vexler, M. Waltl, Z. Wang, B. Manna, D. Neumaier, M.C. Lemme, N.S. Sokolov, T. Grasser. npj 2D Mater. Appl., 8, 23 (2024). DOI: https://doi.org/10.1038/s41699-024-00461-0
  3. M. Lemme, D. Akinwande, C. Huyghebaert, C. Stampfer. Nature Commun., 13, 1392 (2022). DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-022-29001-4
  4. A. Beraud, M. Sauvage, C. Bazan, M. Tie, A. Bencherif, D. Bouilly. Analyst, 146, 403 (2021). DOI: https://doi.org/10.1039/d0an01661f
  5. W. Hayes. Crystals with the fluorite structure (Clarendon Press, 1974)
  6. M. Sugiyama, M. Oshima. Microelectron. J., 27, 361 (1996). DOI: https://doi.org/10.1016/0026-2692(95)00062-3
  7. A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc., 133, 666 (1986). DOI: https://doi.org/10.1149/1.2108651
  8. X. Xin, J. Chen, L. Ma, T. Ma, W. Xin, H. Xu, W. Ren, Y. Liu. Small Methods, 7, 2300156 (2023). DOI: https://doi.org/10.1002/smtd.202300156
  9. S.E. Tyaginov, M.I. Vexler, A.F. Shulekin, I.V. Grekhov. Solid-State Electron., 49, 1192 (2005). DOI: https://doi.org/10.1016/j.sse.2005.04.007
  10. F. Schwierz. Nature Nanotechnol., 5, 487 (2010). DOI: https://doi.org/10.1038/nnano.2010.89
  11. T.P. Smith, P.J. Stiles, J.M. Phillips, W.M. Augustyniak. Appl. Phys. Lett., 45, 907 (1984). DOI: https://doi.org/10.1063/1.95410
  12. S. Miyamoto, H. Matsudaira, H. Ishizaka, K. Nakazawa, H. Taniuchi, H. Umezawa, M. Tachikia, H. Kawarada. Diamond Relat. Mater., 12, 399 (2003). DOI: https://doi.org/10.1016/S0925-9635(03)00034-7
  13. M. Watanabe, T. Funayama, T. Teraji, N. Sakamaki. Jpn. J. Appl. Phys., 39, L716-L719 (2000). DOI: https://doi.org/10.1143/JJAP.39.L716
  14. C.R. Wang, M. Bierkandt, S. Paprotta, T. Wietler, K.R. Hofmann. Appl. Phys. Lett., 86, 033111 (2005). DOI: https://doi.org/10.1063/1.1853522

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme