Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Свойства аморфных пленок халькогенидов мышьяка, модифицированных комплексными соединениями редкоземельных элементов
1Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия 
2Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
2Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 21 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2005 г.
Приведены результаты изучения оптических и электрических свойств тонких пленок халькогенидов мышьяка As-Se и As-S, модифицированных комплексными соединениями редкоземельных элементов с различными органическими лигандами: трис-дипивалоилметанатом состава Eu(thd)3 и диэтилдитиокарбаматом состава Ln(ddtc)3 (Ln = Pr, Eu). Показано, что применение комплексных соединений редкоземельных элементов с давлением насыщенных паров, близким к давлению паров халькогенидов, позволяет получить термическим напылением в вакууме пленки, перспективные для создания плоских световодов. Обнаружено, что введение в селенид мышьяка комплексов Eu(thd)3, имеющих в своем составе кислород, приводит к снижению коэффициента поглощения в области края Урбаха, а также к значительному снижению энергии активации электропроводности, что не характерно для материалов этого класса. Полученные результаты объясняются влиянием кислорода на средний порядок структурной матрицы.
- A. Zakery, S.R. Elliott. J. Non-Cryst. Sol., 330, 1 (2003)
- S.G. Bishop, D.A. Turnbull, B.G. Aitken. J. Non-Cryst. Sol., 266--269, 867 (2000)
- H. Tamorin, M.T. de Araujo, E.A. Gouveia, A.S. Gouveia-Neto, J.A. Medeiros Neto, A.S.B. Sombra. J. Luminesc., 78, 271 (1998)
- H. Harada, Keiji Tanaka. J. Non-Cryst. Sol., 246, 189 (1999)
- A.M. Lozac'h, S. Barnier, M. Guitard. In: Infrarouge chim. solids (Paris, 1974) p. 127
- K. Wei, D.P. Machewirth, J. Wenzel, E. Snitzer, G.H. Sigel. J. Non-Cryst. Sol., 182, 257 (1995)
- S.G. Devinder, R.W. Eason, C. Zaldo, H.N. Rutt, N.A. Vainos. J. Non-Cryst. Sol., 191, 132 (1995).
- E.N. Borisov, V.B. Smirnov, A. Tverjanovich, Yu.S. Tveryanovich. J. Non-Cryst. Sol., 326--327, 316 (2003)
- M. Takahashi, H. Niida, Y. Tokuda, T. Yoko. J. Non-Cryst. Sol., 326--327, 524 (2003)
- El.C. Zampronio, D.N. Greggio, H.P. Oliveira. J. Non-Cryst. Sol., 332, 249 (2003)
- Е.Л. Александрова, Е.И. Теруков, М.Е. Компан, Н.Н. Химич. Сб. тр. IV Межд. конф. Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб, 2004) с. 194
- R.P. Draper, B.C. McCollum, E. Snitzer. J. Ligthwave Technol., 8 (11), 1680 (1990)
- С.А. Козюхин, Н.А. Маркова, А.Р. Файрушин, Н.П. Кузьмина, Э.Н. Воронков. Неорг. матер., 40 (8), 908 (2004)
- Н.Г. Дзюбенко, Л.И. Мартыненко. В сб.: Проблемы химии и применения beta-дикетонатов металлов (М., Наука, 1982) с. 19
- Н.П. Кузьмина, Р.А. Иванов, А.Б. Илюхин, С.Е. Парамонов. Координац. химия, 25 (8), 635 (2000)
- Р.А. Иванов, И.Е. Корсаков, А.А. Формановский, С.Е. Парамонов, Н.П. Кузьмина. Координац. химия, 28 (9), 713 (2002)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные явления в некристаллических полупроводниках (М., Мир, 1982)
- L.R. Tesler, A.C. Iniguez. In: Amorphous and Microcrystalline Silicon Technology [MRS Proc., 907 (1998)]
- М.И. Гайдук, В.Ф. Золин, Л.С. Гайгерова. Спектры люминесценции европия (М., Наука, 1974)
- A.I. Popov. In: Semiconductors and Semimetals (Amsterdam, Elsevier Inc., 2004) v. 78, p. 51
- P. Hari, S. Guzel, T. Su, P.C. Taylor, P.L. Kuhns, W.G. Moulton, N.S. Sullivan. J. Non-Cryst. Sol., 326--327, 199 (2003)
- А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников (М., Мир, 1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
