Работа представляет исследования физических параметров нового пятикомпонентного полупроводникового твердого раствора HgCdMnZnTe. Показано, что рассматриваемый материал по своим параметрам может успешно конкурировать с HgCdTe --- основным материалом для фотоэлектроники в инфракрасных диапазонах 3-5 и 8-14 мкм.
R. Dornhaus, G. Nimtz. Springer Pract. Mod. Phys., 98, 119 (1983)
G. Nimtz, B. Schlicht, R. Dornhaus. Appl. Phys. Lett., 34, 490 (1979)
H.R. Vydynath. J. Electrochem. Soc., 2609 (1981)
R.F.C. Farrow, G.R. Jones, G.M. Williams et al. J. Phys. D: Appl. Phys., 12, L117 (1979)
H.M. Nitz, O. Ganschow, U. Kaiser et al. Surf. Sci., 104, 365 (1981)
W.F.H. Mickletwaite, R.F. Redden. Appl. Phys. Lett., 36, 379 (1980)
И.С. Вирт, Н.Н. Григорьев, А.В. Любченко и др. Поверхность. Физика, химия, механика, 4, 60 (1988)
I.I. Izhnin. Proc. of SPIE, 3890, 519 (1998)
A. Wall, C. Captile, A. Franciosi. J. Vac. Sci. Technol., A4, 818 (1986)
О.А. Боднарук, И.Н. Горбатюк, В.И. Каленик и др. Неорг. матер., 38, 335 (1992)
О.Г. Ланская, В.И. Каленик, Е.П. Лиленко и др. Матер. II Всес. сем. Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках" (Павлодар, 1989) ч. 1, с. 332
P.M. Bridenbaugh. Mater. Lett., 3 (7,8), 287 (1985)
R. Grangler, A. Lasbley, S. Rolland et al. J. Cryst. Growth, 88, 682 (1988)
S. Cole, A.F.W. Willonghby, M.J. Brown. Cryst. Growth, 59, 370 (1982)
А. Жигалов, С. Карелин. Вестн. Львов. ун-та, 36, 199 (2003)
W. Scott, F. Stelzer, J. Hager. J. Appl. Phys., 47, 1408 (1976)
И.Н. Горбатюк, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко. ФТП, 38, 1414 (2004)
S.M. Komirenko. Semicond. Sci. Technol., 9, 19 (1994)
И.М. Несмелова. Оптические свойства узкощелевых полупроводников (Новосибирск, Наука, 1992)