Квазигидродинамическая модификация приближения плавного канала в теории МОП транзистора
Гергель В.А.1, Якупов М.Н.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 14 сентября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.
Предложена новая модель расчета характеристик глубоко-субмикрометровых полевых транзисторов современной микроэлектроники. В ней сочетаются традиционно упрощенное квазиодномерное представление о характере распределения электрических полей в канале транзистора (приближение плавного канала и заряженных слоев) и продвинутое квазигидродинамическое описание высокополевого электронного дрейфа (уравнение энергетического баланса), адекватное ситуациям с высокими градиентами температуры электронного газа. Представлены развернутая математическая формулировка модели, метод ее численной реализации, расчетные вольт-амперные характеристики тестовых транзисторных структур, физический анализ электрических свойств глубоко-субмикрометровых транзисторов с учетом особенностей распределения концентраций подвижного заряда, электрических полей и температуры в канале транзистора.
- BSIM3 User's Manual (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of California, Berkeley CA, 1996)
- HiSIM1.1.1 User's Manual (STARC, 2002)
- Taurus--MediciTM, Synopsys Data Sheet (California, 2003)
- DessisTM, ISE Data Sheet (Switzerland, 2003)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- Y.P. Tsividis. Operation and Modeling of the MOS Transistor (McGraw-Hill, 1999)
- H.C. Pao, C.T. Sah. Sol. St. Electron., 9, 927 (1966)
- В.А. Гергель, Ю.В. Гуляев, В.А. Курбатов, М.Н. Якупов. ФТП, 39, 453 (2005)
- R. Stratton. Phys. Rev., 126 (6), 2002 (1962)
- MINIMOS-NT 2.0 User's Guide (Institute for Microelectronics Technical Univ. Vienna, Austria, 2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук