Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические свойства гетеропереходов n-GaN/p-SiC

Ледяев О.Ю.¹, Стрельчук А.М.¹, Кузнецов А.Н.¹, Середова Н.В.¹, Зубрилов А.С.¹, Волкова А.А.¹, Николаев А.Е.¹, Лебедев А.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 26 апреля 2005 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовавшиеся в настоящей работе эпитаксиальные слои GaN были выращены методом хлоридно-гидридной газофазовой эпитаксии. Основой для роста служили промышленно выпускаемые фирмой CREE (США) подложки p⁺-6H-SiC (N_a-N_d~ 7.8· 10¹⁷ см^-3), а также подложки n⁺-6H-SiC Лэли с предварительно выращенным слоем p⁺-6H-SiC. Проведенные в настоящей работе электрофизические исследования подтверждают достаточно хорошее качество полученных n-GaN/p-SiC-гетероструктур. Это показывает перспективность использования данной комбинации ростовых технологий для получения на основе гетеропереходов n-GaN/p-SiC биполярных и полевых транзисторов.

E. Danielsson, S.-K. Lee, C.-M. Zetterling, M. Ostling, A. Nikolaev, I. Nikitina, A. Dimitriev. IEEE Trans. Electron. Dev., 48 (2001)
N.I. Kuznetsov, A.E. Gubenco, A.E. Nikolaev, Yu.V. Mel'nik, M.N. Blashenkov, I.P. Nikitina, V.A. Dmitriev. Mater. Sci. Eng. B, 46, 74 (1997)
J.T. Torvik, M. Leksono, J.I. Pankove, B.V. Zeghbroeck, H.M. Ng, T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett., 72, 1371 (1998)
J.T. Torvic, C.-H. Qiu, M. Leksono, J.I. Pankove. Appl. Phys. Lett., 72, 945 (1998)
J. Vacas, H. Lahre`che, T. Monteiro, C. Gaspar, E. Pereira, C. Brylinski, M.A. d'Forte-Poisson. Mater. Sci. Forum, 338--342, 1651 (2000)
E. Danielsson, C.-M. Zetterling, M. Ostling, B. Breitholtz, K. Linthicum, D.B. Thomson, O.-H. Nam, R.F. Davis. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 320 (1999)
J.I. Pankove, S.S. Chang, H.C. Lee, R. Molnar, T.D. Moustakas, B. van Zeghbroeck. Proc. IEDM (San Francisco, CA) 389 (1994)
A.E. Nikolaev, Yu.V. Mel'nik, N.I. Kuznetsov, A.M. Strelchuk, A.P. Kovarsky, K.V. Vassilevski, V.A. Dmitriev. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 482, 251 (1998)
N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, C. Raynaud, J.-P. Chante, M.-L. Locatelli, D. Planson, J. Milan, P. Godignon, F.J. Campos, N. Mestres, J. Pascual, G. Brezeanu, M. Badila. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 50 (2000)
A.E. Nikolaev, Yu.V. Mel'nik, M.N. Blashenkov, N.I. Kuznetsov, I.P. Nikitina, A.S. Zubrilov, D.V. Tsvetkov, V.I. Nikolaev, V.A. Dmitriev, V.A. Soloviev. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 1, 45 (1996)
W. Rieger, T. Metzger, H. Angerer, R. Dimitrov, O. Ambacher, M. Stutzmann. Appl. Phys. Lett., 68, 970 (1996)
B. Monemar, J.P. Bergman, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki. Proc. Int. Symp. "Blue Laser and Light Emitting Diodes" (Chiba Univ., Japan, March 5--7, 1996)
M. Kamp. Opt. Quant. Electron., 32, 227 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель