"Физика и техника полупроводников"

Издателям

Статистика

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2018
- 1 2 3 4 5 6
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рассеяние электронов проводимости на пространственно коррелированной системе зарядов в сильно легированном GaAs : Te

Богданова В.А.¹, Давлеткильдеев Н.А.¹, Семиколенова Н.А.¹, Сидоров Е.Н.¹

¹Омский филиал Института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия

Поступила в редакцию: 12 марта 2005 г.

Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования поглощения инфракрасного излучения свободными носителями заряда в монокристаллах GaAs : Te, выращенных методом Чохральского с концентрацией электронов n₀=5· 10¹⁷-6· 10¹⁸ см^-3. Анализ спектральных зависимостей коэффициента поглощения проводился с учетом пространственной корреляции в распределении примесных зарядов. Показано, что модель корреляции ближнего порядка позволяет объяснить уменьшение величины коэффициента поглощения и ослабление его спектральной зависимости в области поглощения свободными носителями заряда, обусловленного рассеянием на ионах примеси. PACS: 78.20.Di, 78.30.Fs, 71.55.Eq

V.V. Prudnikov, I.A. Prudnikova, N.A. Semikolenova. Phys. Status Solidi (a), 181, 87 (1994)

V.A. Bogdanova, V.I. Dubovik, V.V. Prudnikov, N.A. Semikolenova. Abstracts Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Osaka, Japan, 1995) p. 1057

Е.А. Балагурова, Ю.Б. Греков, А.Ф. Кравченко, И.А. Прудникова, В.В. Прудников, Н.А. Семиколенова. ФТП, 19, 1566 (1985)

З.А. Демиденко. ФТП, 4, 2106 (1970)

Т.А. Алиев, Ф.М. Гашимзаде. ФТП, 6, 458 (1972)

Е.П. Рашевская, В.И. Фистуль. ФТТ, 9, 3618 (1967)

В.А. Богданова, Н.А. Давлеткильдеев, А.А. Коротенко, М.М. Нукенов, Н.А. Семиколенова, Е.Н. Сидоров. Матер. VIII Росс. конф. "GaAs-2002" (Томск, 2002) с. 21

В.А. Богданова, Н.А. Давлеткильдеев, Н.А. Семиколенова, Е.Н. Сидоров. ФТП, 36, 407 (2002)

J. Mycielski. Sol. St. Commun., 60, 165 (1986)

K. Kossut, W. Dobrowolski, Z. Wilamowski, T. Dietl, K. Swiatek. Semicond. Sci. Technol., 5, 260 (1990)

K. Kossut, Z. Wilamowski, T. Dietl, K. Swiatek. Acta Physica Polon. A, 79, 49 (1991)

A.F. Levi, S.L. McCall, P.M. Platzman. Appl. Phys. Lett., 54, 940 (1989)

E. Gerlach, P. Grosse. Festkorperprobleme XVII (Braunschweig, F. Vieweg \& Sohn, 1977) p. 157

A. Ron, N. Tzoar. Phys. Rev., 131, 1943 (1963)

Н.С. Задорожный, В.Ф. Коваленко, В.Д. Лисовенко, М.Г. Мильвидский, А.В. Прохорович. Кристаллография, 36, 958 (1991)

J. Gebauer, E.R. Weber, N.D. Jager, K. Urban, Ph. Ebert. Appl. Phys. Lett., 82, 2059 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель