"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Замороженная инфракрасная фотопроводимость в структурах InAs/GaAs со слоями квантовых точек
Кульбачинский В.А.1, Рогозин В.А.1, Кытин В.Г.1, Лунин Р.А.1, Звонков Б.Н.1, Дашевский З.М.2, Касиян В.А.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Department of Materials Engineering, Ben-Gurion University of the Negev, P.O. Box 653, Beer-Sheva, Israel
Поступила в редакцию: 6 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Исследована замороженная инфракрасная фотопроводимость в структурах p- и n-типа проводимости InAs/GaAs со слоями квантовых точек. Затухание фотопроводимости в начальном временном интервале после выключения подсветки происходит по логарифмическому закону. Характерное время релаксации зависит от температуры, уменьшаясь с ростом температуры. Предложена простая модель релаксации фотопроводимости, основанная на термической активации носителей заряда из слоя квантовых точек, согласующаяся с экспериментальными данными. PACS: 73.63.Kv, 73.21.La
  • Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 1 (1998) [Semiconductors, 32, 1 (1998)]
  • Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998). [N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Semiconductors, 32, 343 (1998)].
  • В.М. Устинов. ФТП, 38, 963 (2004). [V.M. Ustinov. Semiconductors, 38, 923 (2004)]
  • М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Ю.Г. Мусихин, Н.Н. Леденцов, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Е.С. Семенова, Н.А. Малеев, Е.В. Никитина, В.М. Устинов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38, 763 (2004). [M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, N.V. Kryzhanovskaya, A.G. Gladyshev, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, A.E. Zhukov, A.P. Vasil'ev, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, E.S. Semenova, N.A. Maleev, E.V. Nikitina, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Semiconductors, 38, 732 (2004)]
  • И.И. Новиков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.Ю. Гордеев, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, С.С. Михрин, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, В.М. Устинов, Ж.И. Алфёров, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг. ФТП, 37, 1270 (2003). [I.I. Novikov, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, N.Yu. Gordeev, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, N.A. Maleev, A.P. Vasil'ev, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Semiconductors, 37, 1239 (2003)]
  • V.A. Kulbachinskii, Y.N. Safyanov, B.N. Zvonkov, I.G. Malkina, R.A. Lunin, V.G. Kytin. Microelectronic Eng., 43--44, 107 (1998)
  • В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, Р.А. Лунин, А.В. Голиков, И.Г. Малкина, Б.Н. Звонков, Ю.Н. Сафьянов. ФТП, 33, 316 (1999). [V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, R.A. Lunin, A.V. Golikov, I.G. Malkina, B.N. Zvonkov, Yu.N. Safyanov. Semiconductors, 33, 318 (1999)]
  • H.Z. Song, K. Akahane, S. Lan, H.Z. Xu, Y. Okada, M. Kawabe. Phys. Rev. B, 64, 085 303 (2001)
  • R.A. Lunin, V.G. Kytin, V.A. Kulbachinskii, Y.N. Safyanov, B.N. Zvonkov, I.G. Malkina, A.V. Golikov. Physica B, 266, 185 (1999)
  • В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, Р.А. Лунин и др. ЖЭТФ, 120, 933 (2001). [V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, R.A. Lunin et al. JETP, 93, 815 (2001)]
  • H.C. Liu, M. Gao, J. McCaffrey, Z.R. Wasilewski, S. Fafard. Appl. Phys. Lett., 78, 79 (2001)
  • S. Maimon, E. Finkman, G. Bahir, S.E. Schacharn, J.M. Garcia, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 73 (14), 2003 (1998)
  • D. Pan, E. Towe, S. Kennerly. Appl. Phys. Lett., 75, 2719 (1999)
  • S.-W. Lee, K. Hirakawa, Y. Shimada. Physica E, 7, 499 (2000)
  • L. Chu, A. Zrenner, G. Bohm, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 76, 1944 (2000)
  • L. Chu, A. Zrenner, M. Bichler, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 79, 2249 (2001)
  • V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, R.A. Lunin, et al. Phys. Staus Solidi C, 0, 1297 (2003)
  • C.E. Johnson, H.W. Jiang. Phys. Rev. B, 48, 2823 (1993).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.