"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электролюминесценция в пористом кремнии при обратном смещении барьера Шоттки
Берашевич Ю.А.1, Лазарук С.К.1, Борисенко В.Е.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 18 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Предложена модель электролюминесценции, возникающей в структуре металл/пористый кремний при обратном смещении образующегося барьера Шоттки. Модель учитывает лавинное умножение горячих носителей заряда и безызлучательную оже-рекомбинацию в пористом кремнии. Установлено, что различие в закономерностях возрастания электронного и дырочного тока за счет генерации неосновных носителей заряда при лавинном умножении горячих электронов ведет к сверхлинейному росту интенсивности излучательной рекомбинации от тока. В режиме лавинного пробоя происходит снижение эффективности излучательной рекомбинации за счет увеличения вклада оже-процессов. Показано, что одним из основных путей увеличения эффективности электролюминесценции пористого кремния является увеличение в нем концентрации нанокристаллитов. PACS: 78.60.Fi, 81.40.Tv, 61.43.Gt, 73.40.Ns
  • L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
  • A.D. Yoffe. Adv. Phys., 42, 173 (1993)
  • D.J. Lokwood, Z.H. Liu, J.M. Baribeau. Phys. Rev. Lett., 76, 539 (1996)
  • F. Bassani, L. Vervoot, I. Mihalescu, J.C. Vial, F. Amaud d'Avitaya. J. Appl. Phys., 79, 4066 (1996)
  • Ю.А. Берашевич, Б.В. Каменев, В.Е. Борисенко. ФТП, 36, 221 (2002)
  • S. Lazarouk, P. Jaguiro, S. Katsouba, G. Masini, S. La Monica, G. Maiello, A. Ferrari. Appl. Phys. Lett., 68, 2108 (1996)
  • A.G. Cullis, L.T. Canham, D.J. Catcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
  • B. Gelloz, N. Koshida. J. Appl. Phys., 88, 4319 (2000)
  • S. Lazarouk. Towards the First Silicon Laser (Kluwer Academic Publishers, 2003) p. 61
  • С.К. Лазарук, П.В. Жагиро, С.М. Мельников, А.П. Прохоренко. Изв. Белорус. инж. акад., N 9, 69 (2000)
  • M. Balucani, S. La Monica, S. Lazarouk et al. Sol. St. Phenomena, 54, 8 (1997)
  • J.A. Berashevich, A.L. Danilyuk, A.N. Kholod, V.E. Borisenko. Mater. Sci. Eng. B, 101, 111 (2003)
  • S. Lazarouk, S. Katsouba, A. Tomlinson, S. Benedetti, C. Mazzoleni, V. Mulloni, G. Mariotto, L. Pavesi. Mater. Sci. Eng. B, 69-70, 114 (2000)
  • Properties of Porous Silicon, ed. by L. Canham (London, INSPEC, 1997) p. 405
  • М.И. Векслер, И.В. Грехов, А.Ф. Шулекин. ФТП, 34, 803 (2000)
  • Y. Wang, K.F. Brennan. J. Appl. Phys., 75, 313 (1994)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) с. 450
  • В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990) с. 232
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.