Проведены исследования оптических свойств полупроводникового твердого раствора CdxHg1-x-yZnyTe в ультрафиолетовой, видимой и инфракрасной областях спектра. Найдены соотношения, позволяющие по положению особых точек E0 и E1 в оптических спектрах оценивать состав x и y данного материала. Получено хорошее соответствие теоретических и экспериментальных результатов в области составов 0.09<x<0.22, 0.02<y<0.17. PACS: 78.20.Ci, 71.20.Nr
N.L. Bazhenov, V.I. Ivanov-Omskii, K.E. Mironov, V.F. Movile. ФТП, 22, 1258 (1988)
K. Takita, N. Uchino, K. Masuda. Semicond. Sci. Technol., 5, S277 (1990)
G.G. Tarasov, Yu.I. Mazur, M.P. Lisitsa, S.R. Lavoric, A.S. Rakitin, J.W. Tomm, A.P. Litvinchuk. Semicond. Sci. Technol., 14, 187 (1999)
Н.П. Гавалешко, В.В. Тетеркин, Ф.Ф. Сизов, С.Ю. Паранчич. Неорг. матер., 28, 2276 (1992)
S. Takeyama, S. Narita. J. Phys. Soc. Japan, 55, 274 (1986)
О.А. Боднарук, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко, А.Ф. Слонецкий. ФТП, 34, 430 (2000)
А.М. Андрухив, К.Е. Миронов. Высокочистые вещества, 2, 139 (1993)
S.N. Ekpenuma, C.W. Myles. J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 321 (1989)
A. Andrukhiv, G. Khlyap, M. Andrukhiv. J. Cryst. Growth, 198/199, 1162 (1999)
P. Sydorchuk, G. Khlyap, M. Andrukhiv. Cryst. Res. Technol, 36, 361 (2001)
А.М. Андрухив, О.А. Гадаев, В.И. Иванов-Омский, Э.И. Цидильковский. ФТП, 27, 348 (1993)
Y.V. Bezsmolnyy. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 458, 461 (2001)
В.А. Тягай, О.В. Снитко, Электроотражение света в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1980)
P. Koppel. J. Appl. Phys., 57, 1705 (1985)
T. Toshifumi, S. Adachi, H. Nakanishi, K. Ohtsuka. Jap. Appl. Phys., 32, 3496 (1993)
C.K. Williams, T.H. Glisson, J.R. Hauses, M.A. Littlejohn. J. Electron. Mater., 7, 639 (1978)
S.E. Ostapov, O.A. Bodnaruk, I.N. Gorbatiuk, I.M. Rarenko. School-Conf. PPMSS (Chernivtsi, Ruta, 1995)
G.L. Hansen, J.L. Schmit, T.N. Casselman. J. Appl. Phys., 53, 7099 (1982)
K. Joswikowski, A. Rogalski. Infrared Phys., 28, 101 (1988)
J. Lee, N.G. Giles, D. Rajavel, C.J. Summers. Phys. Rev. B, 49, 668 (1994)
R. Granger. Properties of Narrow Gap Semiconductors, ed. P. Capper (London, INSPEC, IEE, 1994)
L. Vina, C. Umbach, M. Cardona, L. Vodopyanov. Phys. Rev. B, 29, 6752 (1984)
E.M. Larramendi, E. Puron, O. de Melo. Semicond. Sci. Technol., 17, 8 (2002)
А.И. Белогорохов, Ю.А. Пусеп. Препринт ИФП СО РАН, N 13, 1 (1987)