"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие на длине волны 1.94 мкм
Зотова Н.В.1, Ильинская Н.Д.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1, Шленский А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Представлены спектральные, вольт- и ватт-амперные характеристики светодиодов с активным слоем из InGaAsSb (длина волны излучения 1.94 мкм при 300 K) в температурном диапазоне 77-543 K, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии на подложке GaSb и имеющих конструкцию типа флип-чип. Спектральные и мощностные характеристики обсуждаются в связи с особенностями конструкции, поглощением излучения в подложке и джоулевым разогревом. PACS: 85.60.Jb
  • Л.М. Долгинов, А.Е. Дракин, П.Г. Елисеев, Т.В. Бердникова, М.Г. Мильвидский, В.П. Орлов, Ю.А. Пантелеев, Б.Н. Свердлов, Е.Г. Шевченко. Квантовая электроника, 5, 2499 (1978)
  • L.M. Dolginov, P.G. Eliseev, A.N. Lapshin, M.G. Milvidskii. Cryst. Technik, 13, 631 (1978)
  • V. Rakovics, J. Balazs, S. Puspoki, C. Frigeri. Mater. Sci. Eng., B80, 18 (2001)
  • А.Н. Именков, Е.А. Гребенщикова, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Данилова, М.А. Сиповская, Н.В. Власенко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 38, 1399 (2004)
  • Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37, 996 (2003)
  • A. Krier, S.A. Bissit, N.J. Mason, R.J. Nicholas, S. Salesse, P.J. Walker. Semicond. Sci. Technol., 9, 87 (1994)
  • A. Krier, D. Chub, S.E. Krier, M. Hopkinson, G. Hill. IEE Proc. Optoelectron., 145, 292 (1998)
  • M. Peter, R. Kiefer, F. Fuchs, N. Herres, K. Winkler, K.-H. Bachem, J. Wagner. Appl. Phys. Lett., 74, 1951 (1999)
  • Т.Н. Данилова, Б.Е. Журтанов, А.Л. Закгейм, Н.Д. Ильинская, А.Н. Именков, О.Н. Сараев, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33, 239 (1999).
  • B. Andrews. Тезисы конференции MIOMD-VI (St. Petersburg, 2004) с. 90
  • R.C. Johnes. Appl. Optics, 1, 607 (1962)
  • M.A. Remennyi, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Sens. Actuators B: Chemical, 91, 256 (2003)
  • B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Proc. SPIE, 4650, 173 (2002)
  • A. Mooradian, H.Y. Fan. Phys. Rev., 148 (2), 873 (1966)
  • H. Benistry, H. De Neve, C. Weibuch. IEEE J. Quant. Electron., 34, 1612 (1998)
  • T. Ashley, N.T. Gordon, T.J. Phillips. J. Mod. Optics, 46, 1677 (1999)
  • B. Matveev, N. Zotova, N. Il'inskaya, S. Karandashev, M. Remennyi, N. Stus'. Phys. Status Solidi C, 2 (2), 927 (2005).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.