"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Определение коэффициента ослабления света в тонких слоях светодиодных структур
Ефремов А.А.1, Тархин Д.В.2, Бочкарева Н.И.2, Горбунов Р.И.2, Ребане Ю.Т.2, Шретер Ю.Г.2
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 августа 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Предложена методика определения коэффициента ослабления света в тонком GaN-слое на основе измерений интенсивности электролюминесценции вдоль и поперек слоя. Получена величина коэффициента ослабления света 90±15 см-1 в GaN-слое светодиодной InGaN-структуры. PACS: 85.60.Jb, 78.60.Fi, 78.66.Fd
  • S. Nakamura, S.F. Chichibu. Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Doides (N.Y., Taylor \& Francis, 2000)
  • H. Morkoc. Nitride Semiconductors and Devices [Springer Ser. Mater. Sci., 32] (Springer, Berlin, 1999).
  • S. Schad, B. Neubert, C. Eichler, M. Scherer, F. Habel, M. Seyboth, F. Scholz, D. Hofstetter, P. Unger, W. Schmid, C. Kamutsch, K. Streubel. J. Lightwave Technol., 22, 2323 (2004)
  • O. Ambacher, W. Rieger, P. Ansmann, H. Angerer, T.D. Moustakas, M. Stutzman. Sol. St. Commun, 97 (5), 365 (1996)
  • S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahma, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku. Appl. Phys. Lett., 69, 1568 (1996)
  • D. Brunner, H. Angerer, E. Bustarret, F. Freudenberg, R. Hopler, R. Dimitrov, O. Ambacher, M. Stutzmann. J. Appl. Phys., 82, 5090 (1997)
  • J.F. Muth, J.H. Lee, I.K. Shmagin, R.M. Kolbas, H.C. Casey, jr., B.P. Keller, U.K. Mishra, H. Amano, N. Watanabe, N. Koide, I. Akasaki. Appl. Phys. Lett., 71, 2572 (1997)
  • H. Amano, N. Watanabe, N. Koide, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 32, L1000 (1993)
  • Y.T. Rebane, N.I. Bochkareva, V.E. Bougrov, D.V. Tarkhin, Y.G. Shreter, E.A. Girnov, S.I. Stepanov, W.N. Wang, P.T. Chang, P.J. Wang. Proc. SPIE, 4996, 113 (2003)
  • Л.Е. Воробьев, Л.Е. Голуб, С.Н. Данилов, Е.Л. Ивченко, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин. Оптические явления в полупроводниковых квантово-размерных структурах (СПб., изд-во СПбГТУ, 2000).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.