Предложена методика определения коэффициента ослабления света в тонком GaN-слое на основе измерений интенсивности электролюминесценции вдоль и поперек слоя. Получена величина коэффициента ослабления света 90±15 см-1 в GaN-слое светодиодной InGaN-структуры. PACS: 85.60.Jb, 78.60.Fi, 78.66.Fd
S. Nakamura, S.F. Chichibu. Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Doides (N.Y., Taylor \& Francis, 2000)
H. Morkoc. Nitride Semiconductors and Devices [Springer Ser. Mater. Sci., 32] (Springer, Berlin, 1999).
S. Schad, B. Neubert, C. Eichler, M. Scherer, F. Habel, M. Seyboth, F. Scholz, D. Hofstetter, P. Unger, W. Schmid, C. Kamutsch, K. Streubel. J. Lightwave Technol., 22, 2323 (2004)
O. Ambacher, W. Rieger, P. Ansmann, H. Angerer, T.D. Moustakas, M. Stutzman. Sol. St. Commun, 97 (5), 365 (1996)
S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahma, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku. Appl. Phys. Lett., 69, 1568 (1996)
D. Brunner, H. Angerer, E. Bustarret, F. Freudenberg, R. Hopler, R. Dimitrov, O. Ambacher, M. Stutzmann. J. Appl. Phys., 82, 5090 (1997)
J.F. Muth, J.H. Lee, I.K. Shmagin, R.M. Kolbas, H.C. Casey, jr., B.P. Keller, U.K. Mishra, H. Amano, N. Watanabe, N. Koide, I. Akasaki. Appl. Phys. Lett., 71, 2572 (1997)
H. Amano, N. Watanabe, N. Koide, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 32, L1000 (1993)
Y.T. Rebane, N.I. Bochkareva, V.E. Bougrov, D.V. Tarkhin, Y.G. Shreter, E.A. Girnov, S.I. Stepanov, W.N. Wang, P.T. Chang, P.J. Wang. Proc. SPIE, 4996, 113 (2003)
Л.Е. Воробьев, Л.Е. Голуб, С.Н. Данилов, Е.Л. Ивченко, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин. Оптические явления в полупроводниковых квантово-размерных структурах (СПб., изд-во СПбГТУ, 2000).