"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Транзистор с туннельным МОП эмиттером как инструмент для определения эффективной массы дырки в тонкой пленке диоксида кремния
Векслер М.И.1, Тягинов С.Э.1, Шулекин А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.

Экспериментально определено значение эффективной массы дырки в туннельно-тонком (2-3 нм) слое SiO2: mh=(0.32-0.33)m0. Использование этого значения обеспечивает адекватное моделирование дырочного тока прямого туннелирования в приборах на основе МОП структур. Для нахождения указанного параметра впервые применена математическая обработка характеристик транзисторов с туннельным МОП эмиттером, что дает возможность точно найти эффективную толщину окисла, поскольку эффективная масса электрона в SiO2 известна из литературы. При расчетах использовалась модель, в которой вероятность прохождения через барьер зависит только от компоненты энергии частицы Ez, связанной с движением в направлении туннелирования. PACS: 85.30.De, 73.40.Qv
  • А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO-=SUB=-2-=/SUB=- на кремнии (Л., изд-во ЛГУ, 1988)
  • International Technology Roadmap for Semiconductors, http:/public.itrs.net (2004).
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  • R.B. Laughlin. Phys. Rev. B, 22 (6), 3021 (1980)
  • I.V. Grekhov, A.F. Shulekin, M.I. Vexler. Sol. St. Electron., 38 (8) 1533 (1995)
  • Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев. ФТП, 33 (9), 1126 (1999)
  • K.M. Chu, D.L. Pulfrey. IEEE Trans. Electron Dev., ED-35 (2), 188 (1988)
  • M. Depas, B. Vermiere, P.W. Mertens, R.L. van Meirhaeghe, M.M. Heyns. Sol. St. Electron., 38 (8), 1465 (1995)
  • B. Brar, G.D. Wilk, A.C. Seabaugh. Appl. Phys. Lett., 69 (18), 2728 (1996)
  • Y.T. Hou, M.F. Li, Y. Jin, W.H. Lai. J. Appl. Phys., 91 (1), 258 (2002)
  • M.G. Ancona, Z. Yu, R.W. Dutton. P.J. Vande, M. Cao, D. Vook. IEEE Trans. Electron Dev., ED-47 (12), 2310 (2000)
  • A. Haque, K. Alam. Appl. Phys. Lett., 81 (4), 667 (2002)
  • K.-N. Yang, H.-T. Huang, M.-C. Chang, C.-M. Chu, Y.-S. Chen, M.-J. Chen, Y.-M. Lin, M.-C. Yu, S.M. Jang, C.H. Yu, M.S. Liang. IEEE Trans. Electron Dev., ED-47 (11), 2161 (2000)
  • E.M. Vogel, K.Z. Ahmed, B. Hornung, W.K. Henson, P.K. McLarty, G. Lucovsky, J.R. Hauser, J.J. Wortman. IEEE Trans. Electron Dev., ED-45 (6), 1350 (1998)
  • A. Schenk, G. Heiser. J. Appl. Phys., 81 (12), 7900 (1997)
  • A. Ohta, M. Yamaoka, S. Miyazaki. Microelectron. Eng., 72 (1--4), 154 (2004)
  • R. Khlil, A.El Hdiy, A.F. Shulekin, S.E. Tyaginov, M.I. Vexler. Microelectronics Reliability, 44 (3), 543 (2004)
  • A.F. Shulekin, M.I. Vexler, H. Zimmermann. Semicond. Sci. Technol., 14 (5), 470 (1999)
  • C. Moglestue. J. Appl. Phys., 59 (9), 3175 (1986)
  • W.E. Drummond, J.L. Moll. J. Appl. Phys., 42 (13), 5556 (1971)
  • C. Chang, C. Hu, R.W. Brodersen. J. Appl. Phys., 57 (2), 302 (1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.