В рамках предложенного ранее спектрально-корреляционного метода исследования полупроводниковых структур с планарно-неоднородными слоями экспериментально исследована при температуре 77 K фотолюминесценция структуры на основе GaAs с delta-слоями n-типа. Этот метод позволил изучить на одном образце зависимости особенностей наблюдаемого многокомпонентного спектра ФЛ от вариации двух параметров --- расстояния между delta-слоями и состава находящейся между ними узкой квантовой ямы InGaAs. Полученные результаты позволяют связать наблюдаемое экспоненциальное увеличение интенсивности фотолюминесценции из области delta-слоев при изменении этих параметров с изменением соотношения латерально локализованных в минимумах флуктуационного потенциала и свободных двумерных дырок. Обнаружен эффект стабилизации энергетического положения спектральных линий фотолюминесценции, который мы связываем с локализацией дырок в потенциальной яме между delta-слоями. Полученные экспериментальные результаты согласуются с проведенными в работе численными расчетами. PACS: 78.55.Cr, 73.63.-b, 78.67.Pt
Ю.В. Хабаров. Пат. РФ N 2168238 (2001)
Ю.В. Хабаров. ФТП, 37 (3), 339 (2003)
Ю.В. Хабаров, В.В. Капаев, В.А. Петров. ФТП, 38 (4), 455 (2004)
W.M. Zheng, M.P. Halsall, P. Harmer, P. Harrison, M.J. Steer. Appl. Phys. Lett., 84, 735 (2004)
S.M. Landi, C.V.-B. Tribuzy, P.L. Souza, R. Butendeich, A.C. Bittencourt, G.E. Marques. Phys. Rev. B, 67, 085304-/1 (2003)
A. Cavalheiro, E.C.F. da Silva, A.A. Quivi, E.K. Takahashi, S. Martini, M.J. da Silva, E.A. Meneses, J.R. Leite. J. Phys.: Condens. Matter., 15, 121 (2003)
E. Ozturk, I. Sokmen. Superlat. Microstruct., 35, 95 (2004)
J. Osvald. Physica E, 23, 147 (2004)
E. Ozturk, H. Sari, V. Erdun, I. Sokmen. Physica B, 334, 1 (2003)
В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, Р.А. Лунин, В.Г. Мокеров, А.П. Сеничкин, А.С. Бугаев, А.Л. Карузский, А.В. Пересторонин, R.T.F. van Scyaijk, A. de Visser. ФТП, 33 (7), 839 (1999)
J.C.M. Henning, Y.A.R.R. Kessener, P.M. Koenraad, M.R. Leys, W. van Vleuten, J.H. Woller, A.M. Frens. Semicond. Sci. Technol., 6, 1079 (1991)
J. Vagner, A. Fischer, K. Ploog. Phys. Rev. B, 42, 7280 (1990-1).
А.М. Васильев, П.С. Копьев, М.Ю. Надточий, В.М. Устинов. ФТП, 23 (12), 2133 (1998)
В.Г. Мокеров, Ю.В. Федоров, А.В. Гук, Ю.В. Хабаров. ДАН, 367 (1), 40 (1998)
J. Wagner, A. Fischer, K. Ploog. Appl. Phys. Lett., 59 (4), 482 (1991)
A.C. Maciel, M. Tatham, J.F. Ryan, J.M. Worlok, R.E. Nahori, J.P. Harbison, L.T. Florez. Surf. Sci., 228 (1--3), 251 (1990)
B. Ullrich, X. Zhang, K. v. Klitzing. Appl. Phys. Lett., 54 (12), 1123 (1989)
A.M. Gilinsky, K.S. Zhuravlev, D.I. Lubishev, V.P. Migal, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semiagin. Superlatt. Microstruct., 10 (4), 399 (1991)
Er-Xuan Ping, V. Dalal. J. Appl. Phys., 74 (9), 5349 (1993)
G.M. Sipahi, R. Enderlein, L.M.R. Scolfaro, J.R. Leite, E.C.F. da Silva, A. Levine. Phys. Rev. B, 57, 9168 (1997)
R. Enderlein, G.M. Sipahi, L.M.R. Scolfaro, J.R. Leite, I.F.I. Diaz. Mater. Sci. Eng. B, 35, 396 (1995)
G.M. Sipahi, R. Enderlein, L.M.R. Scolfaro, J.R. Leite. Phys. Rev. B, 53, 9930 (1995)