Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние внешнего электрического поля на вероятность оптических переходов в квантовых ямах InGaAs/GaAs
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 13 октября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.
Методом спектроскопии электроотражения исследовано влияние внешнего электрического поля на межзонные оптические переходы в одиночных квантовых ямах InxGa1-xAs/GaAs. Предложена методика выделения вклада отдельных экситонных переходов в формирование сложного модуляционного спектра. Экспериментально наблюдались нетривиальные полевые зависимости вероятности запрещенных по симметрии оптических переходов. Проведено сравнение полученных данных с соответствующими теоретическими зависимостями. Напряженность внутреннего электрического поля в области квантовой ямы контролировалась по осцилляциям Франца-Келдыша. При некоторых значениях напряженности вероятность запрещенных в нулевом поле переходов превышала вероятность разрешенных. PACS: 78.67.De, 73.21.Fg
- O.L. Lazarenkova, A.N. Pikhtin. Proc. 7th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 1999) p. 416.; Phys. Status Solidi A, 175, 51 (1999)
- A.N. Pikhtin, O.S. Komkov, F. Bugge. Proc. 12th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 2004) p. 285
- A.N. Pikhtin, O.S. Komkov, F. Bugge. Phys. Status Solidi A, 202, 1270 (2005)
- F. Bugge, U. Zeimer, M. Sato, M. Weyers, G. Trankle. J. Cryst. Growth, 183, 511 (1988)
- А.Н. Пихтин, В.А. Попов, Д.А. Яськов. ФТП, 3, 1646 (1969)
- D.E. Aspnes, A. Studna. Phys. Rev. B, 7, 4605 (1973)
- M. Chandrasekhar, F.H. Pollak. Phys. Rev. B, 15, 2127 (1977)
- Landolt-Bornstein: Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, ed. by O. Madelung, M. Schulz and H. Wiess (N. Y., Springer, 1982) v. 17a
- D.E. Aspnes. Surf. Sci., 34, 418 (1973)
- T.J.C. Hosea. Phys. Status Solidi B, 182, K43 (1994)
- T.J.C. Hosea. Phys. Status Solidi B, 189, 531 (1995)
- О.Л. Лазаренкова, А.Н. Пихтин. ФТП, 32, 1108 (1998)
- А.Н. Пихтин. ФТП, 11, 425 (1977)
- V.I. Zubkov, M.A. Melnik, A.V. Solomonov, E.O. Tsvelev, F. Bugge, M. Weyers, G. Trankle. Phys. Rev. B, 70, 075 312 (2004)
- J. Kavaliauskas, G. Krivaite, T. Lideikis, I. v Simkiene, G. Treideris, U. Olin, M. Ottosson. Semicond. Sci. Technol., 8, 1875 (1993)
- G. S ek, K. Ryczko, J. Misiewicz, M. Bayer, T. Wang, A. Forchel. Acta Phys. Polon. A, 100, 417 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
