Излучательное время жизни электронов и дырок в тонком слое полупроводника
Пипа В.И.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 27 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.
Вычислено излучательное время жизни невырожденных электронов и дырок, однородно распределенных в полупроводниковом слое, который расположен на подложке или ограничен двумя диэлектрическими средами. Полученное выражение учитывает эффекты перепоглощения и интерференции излучения и определяет зависимости излучательного времени жизни от показателей преломления внешних сред и от толщины слоя. PACS: 78.20.Bh, 78.20.Ci, 78.55.-m
- E.M. Purcell. Phys. Rev., 69, 681 (1946)
- Н.А. Власенко, С.И. Пекар, В.С. Пекар. ЖЭТФ, 64, 371 (1973)
- В.В. Климов, М. Дюклуа, В.С. Летохов. Квант. электрон., 31, 569 (2001)
- W. van Roosbrook, W. Shockley. Phys. Rev., 94, 1558 (1954)
- R.G. Humphreys. Infr. Phys., 23, 171 (1983); Infr. Phys., 26, 377 (1986)
- E. Yablonovitch, T.J. Gmitter, R. Bhat. Phys. Rev. Lett., 61, 2546 (1988)
- H.P. Urbach, G.L.J.A. Rikken. Phys. Rev. A, 57, 3913 (1998)
- К.Ю. Гуга, А.Г. Коллюх, А.И. Липтуга, В.А. Мороженко, В.И. Пипа. ФТП, 38, 524 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук