Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Отрицательная емкость (импеданс индуктивного типа) кремниевых p⁺-n-переходов, облученных быстрыми электронами

Поклонский Н.А.¹, Шпаковский С.В.², Горбачук Н.И.¹, Ластовский С.Б.³

¹Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь Belarusian State University, Minsk, Republic of Belarus

²УП "Завод Транзистор" НПО "Интеграл", Минск, Белоруссия
³Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия

Поступила в редакцию: 21 ноября 2005 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовались кремниевые диоды с p⁺-n-переходом, облученные быстрыми электронами (энергия E=3.5 МэВ, флюенс Phi=4·10¹⁶ см^-2). Индуктивность диодов (L) измерялась на частоте f=1 МГц при амплитуде переменного тока 0.25 мА. Одновременно с измерением L на переменном токе через включенный в прямом направлении диод пропускался постоянный ток, что приводило к инжекции в базу неосновных носителей заряда. Для выяснения механизмов возникновения импеданса индуктивного типа в облученных диодах с p⁺-n-переходом, а также для идентификации основных радиационных дефектов, непосредственно принимающих участие в его возникновении, был проведен изохронный отжиг в диапазоне температур T_a=225-375^oC с последующим исследованием основных характеристик дефектов методом нестационарной емкостной спектроскопии (DLTS). Показано, что импеданс индуктивного типа в облученных диодах определяется процессами захвата и удержания инжектированных в базу носителей заряда на центрах прилипания в течение времени ~1/2f, т. е. полупериода колебаний. Показано также, что центрами прилипания являются комплексы вакансия-кислород, вводимые облучением. PACS: 85.30.Kk, 73.40.Lq, 71.55.Cn, 61.80.Fe

Дж. Гринфилд. Транзисторы и линейные ИС: Руководство по анализу и расчету (М., Мир, 1992)
K. Board. Rep. Prog. Phys., 48, 1595 (1985)
К.Ф. Ибрагим. Телевизионные приемники (М., Мир, 2000)
Л.Н. Степанова. Зарубеж. радиоэлектрон., 5, 79 (1991)
А.Н. Серьезнов, Л.Н. Степанова, О.Н. Негоденко, В.П. Путилин. Полупроводниковые аналоги реактивностей (М., Знание, 1990)
Д.В. Игумнов, Г.П. Костюнина. Основы полупроводниковой электроники (М., Горячая линия --- Телеком, 2005)
И.Ю. Гибадатов, А.С. Глебов. Письма ЖТФ, 16 (1), 22 (1990)
K.S.A. Butcher, T.L. Tansley, D. Alexiev. Sol. St. Electron., 39 (3), 333 (1996)
А.П. Болтаев, Т.М. Бурбаев, Г.А. Калюжная, В.А. Курбатов, Н.А. Пенин. Микроэлектроника, 24 (4), 291 (1995)
Н.А. Пенин. ФТП, 30 (4), 626 (1996)
А.П. Болтаев, Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов, М.М. Рзаев, Н.А. Пенин, Н.Н. Сибельдин. Изв. РАН, 63 (2), 312 (1999)
G.B. Parravicini, A. Stella, M.C. Ungureanu, R. Kofman. Appl. Phys. Lett., 85 (2), 302 (2004)
K. Steiner, N. Uchitomi. J. Vac. Sci. Technol. B, 8 (5), 1113 (1990)
X. Wu, T.S. Yang, H.L. Evans. J. Appl. Phys., 68 (6), 2845 (1990)
А.И. Крымский, Л.К. Попов. Микроэлектроника, 19 (4), 328 (1990)
А.С. Дешевой, Л.С. Гасанов. ФТП, 11 (10), 1995 (1977)
J. Werner, A.F.J. Levi, R.T. Tung, M. Anzlowar, M. Pinto. Phys. Rev. Lett., 60 (1), 53 (1988)
M. Ershov, H.C. Liu, L. Li, M. Buchanan, Z.R. Wasilewski, A.K. Jonscher. IEEE Trans. Electron Dev., 45 (10), 2196 (1998)
M. Beale, P. Mackay. Phil. Mag. B, 65 (1), 47 (1992)
I. Omura, H. Ohashi, W. Fichtner. IEEE Electron Dev. Lett., 18 (12), 622 (1997)
T. Noguchi, M. Kitagawa, I. Taniguchi. Jap. J. Appl. Phys., 19 (7), 1423 (1980)
B.K. Jones, J. Santa, M. McPherson. Sol. St. Commun., 107 (2), 47 (1998)
Г.Б. Абдуллаев, З.А. Искендерзаде, Э.А. Джафарова. РЭ, 10 (4), 776 (1965)
С.П. Синица. РЭ, 2, 1427 (1962)
Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, С.В. Шпаковский. Взаимодействие излучений с твердым телом. Матер. V Межд. конф., Минск, 2003 (Минск, Бел. гос. ун-т, 2003) с. 288
Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, С.В. Шпаковский, С.Б. Ластовский, А.А. Шандицев. Низкоразмерные системы --- 2: Физикохимия элементов и систем с низкоразмерным структурированием ( получение, диагностика, применение новых материалов и структур). Сб. науч. работ (Гродно, ГрГУ, 2005) с. 104
M. McPherson. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., 488, 100 (2002)
В.С. Вавилов, Н.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники (М., Наука, 1988)
Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты (М., Мир, 1985)
V.P. Markevich, A.R. Peaker, S.B. Lastovskii, L.I. Murin, J.L. Lingstrom. J. Phys.: Condens. Matter, 15, S2779 (2003)
К.В. Шалимова. Физика полупроводников (М., Энергоатомиздат, 1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель