Методом туннельной спектроскопии при гелиевых температурах исследован эффект замороженой (persistent) туннельной фотопроводимости: сгущение пустых уровней в приповерхностном delta-легированном слое GaAs после внешней подсветки. Показано, что этот эффект обусловлен уширением потенциальной ямы delta-слоя. При энергиях фотонов hnu больше ширины запрещенной зоны Eg в GaAs это происходит за счет накопления положительного заряда в глубине GaAs при генерации электронно-дырочных пар и за счет фотоионизации глубоких центров. При hnu<Eg (в том числе для излучения CO2-лазера) эффект связан только с процессами фотоионизации. Полученные данные согласуются с результатами самосогласованных расчетов. Определена температура Tc=45 K, выше которой эффект исчезает. PACS: 72.40.+w, 73.21.Fg, 73.23.Ra, 73.30.+y, 73.40.Gk, 73.63.--b.
А.Я. Шик. ФТП, 26 (7), 1161 (1992)
E.F. Schubert. Delta Doping of Semiconductors (Cambridge, Cambridge University Press, 1996)
S. Arscott, M. Missous, L. Dobaczewski. Semicond. Sci. Technol., 7, 620 (1992)
A.G. de Oliveira, G.M. Ribeiro, D.A.W. Soares, J.A. Corr \hat ea F., M.I.N da Silva, H. Chacham. J. Appl. Phys., 78 (4), 2659 (1995)
В.В. Валяев, В.Л. Гуртовой, Д.Ю. Иванов, С.В. Морозов, В.В. Сироткин, Ю.В. Дубровский, С.Ю. Шаповал, Ю.Н. Ханин, Е.Е. Вдовин, А.Н. Пустовит. ЖЭТФ, 113 (2), 693 (1998)
C.Y. Chen, Tineke Thio, K.L. Wang, K.W. Alt, P.C. Shama. Appl. Phys. Lett., 73 (22), 3235 (1998)
S.E. Dizhur, I.N. Kotel'nikov, V.A. Kokin, F.V. Shtrom. PLDS, N 11/12, 233 (2001)
J.W. Conley, G.D. Mahan. Phys. Rev., 161, 681 (1967)
И.Н. Котельников, А.Я. Шульман, Д.К. Чепиков, Е.Г. Чиркова. ФТП, 21 (10), 1854 (1987)
J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53 (10), R123 (1982)
Е.М. Лифшиц, Л.П. Питаевский. Теоретическая физика. Физическая кинетика (М., Физматлит, 2002) т. X
V.A. Kulbachinskii, R.A. Lunin, V.G. Kytin, V.A. Rogozin, P.V. Gurin, B.N. Zvonkov, D.O. Filatov. Phys. Status Solidi (c), 0 (4), 1297 (2003)
O.A. Soltanovich, E.B. Yakimov, V.A. Kagadei, L.M. Romas. Physica B, 302--310, 827 ( 2001)
D.J. Chadi. Phys. Rev. B, 68, 193 204 (2003)
Е.М. Дижур, А.Н. Вороновский, А.В. Федоров, И.Н. Котельников, С.Е. Дижур. Письма ЖЭТФ, 80 (6), 489 (2004)