Исследовалась возможность увеличения интенсивности внутрицентровых переходов иона Eu в кристаллах GaN путем введения дополнительной примеси для изменения локального окружения редкоземельного иона. Вюрцитные кристаллы p-GaN исходно были легированы Mg, а затем --- европием. Введение дополнительной примеси Zn приводит к существенному увеличению интенсивности фотолюминесценции в области 3580-4250 Angstrem и в длинноволновой области спектра 5400-6237 Angstrem. Это можно объяснить проявлением сенсибилизации люминесценции оптически-активных внутрицентровых f-f-переходов Eu3+ вследствие введения дополнительной примеси, способствующей образованию комплексов редкоземельного иона с большим сечением захвата носителей заряда. PACS: 61.72.Vv, 61.72.Yx, 78.47.+p, 78.55.Cr
В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.Н. Родин. ФТТ, 45 (9), 1556 (2003)
Y. Hori, X. Biquard, E. Monroy, D. Jalabert, F. Enjalbert, Le Si Dang, M. Tanaka, O. Oda, B. Daudin. Appl. Phys. Lett., 84 (3), 206 (2004)
G. Koley, H.Y. Cha, J. Hwang, W.J. Schaff, L.F. Fastman, M.G. Spencer. Appl. Phys. Lett., 86 (5), 052 101 (2005)
S. Kim, S.J. Phee, X. Li, J.J. Colemann, S.G. Bishop. Appl. Phys. Lett., 76 (17), 2403 (2004)
Y. Peng, C.W. Lee, H.O. Everitt, D.C. Lee, A.J. Steckl, J.M. Zavada. Appl. Phys. Lett., 86, 051 110 (2005)
М.И. Гайдук, В.Ф. Золин, Л.С. Гайгерова. Спектры люминесценции европия (М., Наука, 1974)
В.В. Криволапчук, Ю.В. Кожанова, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, С.Н. Родин, Ш.А. Юсупова. ФТП, 38 (11), 1308 (2004)
R. Birkhahn, R. Hudgins, D. Lee, A.J. Steckl, R.J. Molnar, A. Saleh, J.M. Zavada. J. Vac. Sci. Technol. B: Microelectron. and Nanometer Structures, 17 (3), 1195 (1999)
M. Hahko, T. Boeck, A.-K. Gerlitzu, F. Syrowatka, F. Heyroth, R. Koler. Appl. Phys. Lett., 86, 142 101 (2005)
В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина. ФТТ, 46 (12), 2129 (2004)
В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина. ФТТ, 47 (7), (2005)
M.A. Reschnikov, H. Morcos. J. Appl. Phys., 97, 061 301 (2005)