Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние пассивации поверхности p-CdTe в (NH₄)₂S_x на вольт-амперные характеристики контактов

Клевков Ю.В.¹, Колосов С.А.¹, Плотников А.Ф.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 11 января 2006 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы вольт-амперные характеристики контактов при температурах 300 и 77 K. Контакты были получены химическим осаждением Au на поверхность (111) поликристаллического p-CdTe после травления в бром-метаноле и после пассивации в (NH₄)₂S_x. Показано, что пассивация поверхности заметно приближает вольт-амперные характеристики к линейным при 300 K и лишь незначительно при 77 K. Измерения низкотемпературной фотопроводимости образцов показали, что пассивация поверхности в (NH₄)₂S_x уменьшает плотность поверхностных состояний на границе металл-полупроводник. PACS: 73.40.Ns, 81.65.Ps

С.А. Медведев, Ю.В. Клевков. Патент РФ N 243014 от 20.12.1999 г
T.L. Chu, S.S. Chu, C. Ferekides, C.Q. Wu, J. Britt, C. Wang. J. Appl. Phys., 70, 7608 (1991)
E. Janik, R. Triboulet. J. Phys. D: Appl. Phys., 16, 2333 (1983)
B. Ghosh, S. Purakayastha, P.K. Datta, R.W. Miles, M.J. Carter, R. Hill. Semicond. Sci. Technol., 10, 71 (1995)
A. Musa, J.P. Ponpon, J.J. Grob, M. Hage-Ali, R. Stuck, P. Siffert. J. Appl. Phys., 54, 3260 (1983)
F.F. Wang, A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. J. Appl. Phys., 65, 3552 (1989)
R.H. Williams. Contemp. Phys., 23, 329 (1982)
Ю.В. Клевков, В.П. Мартовицкий, С.А. Медведев. ФТП, 37, 129 (2003)
Chun-teh Lee, R.H. Bube. J. Appl. Phys., 58, 880 (1985)
H.C. Card, E.H. Rhoderick. J. Phys. D: Appl. Phys., 4, 1602 (1971)
I.M. Kotina, L.M. Tukhkonen, G.V. Patsekina, A.V. Shchukarev, G.M. Gusinskii. Semicond. Sci. Technol., 13, 890 (1998)
C.K. Kang, Sh.U. Yuldashev, J.H. Leem, Y.S. Ryu, J.K. Hyun, H.S. Jung, H.J. Kim, T.W. Kang, H.I. Lee, Y.D. Woo, T.W. Kim. J. Appl. Phys., 88, 2013 (2000)
D. DeNobel. Phil. Res. Rep., 14, 361 (1959)
С.А. Колосов, Ю.В. Клевков, А.Ф. Плотников. ФТП, 38, 305 (2004).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель