Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование электронных свойств поверхности полупроводников методом модуляционной спектроскопии электроотражения
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 16 января 2006 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.
Сделан анализ связи осцилляций Келдыша-Франца с электронными параметрами полупроводниковых материалов при сильнополевом режиме измерений. Возможности использования модуляционной спектроскопии электроотражения для исследования электронных свойств поверхности полупроводников продемонстрированы на примере спектров электроотражения гомоэпитаксиальных пленок n-GaAs(100) с концентрацией 1017-1018 см-3. Спектры измерены методом барьера Шоттки при комнатной температуре, в неполяризованном свете, в спектральном диапазоне 1.3-1.65 эВ в области перехода E0 (Gamma8V-Gamma6C). Из количественного анализа спектров электроотражения получены электронные параметры пленок: энергия электронного перехода E0, электрооптическая энергия htheta, поверхностное электрическое поле Fs, энергетическое время релаксации носителей заряда tau, протяженность осцилляции волновой функции квантово-механической частицы lambdaKF с приведенной эффективной массой mu при данном поверхностном электрическом поле Fs, величина электронной подвижности mue. PACS: 78.20.Bh, 78.20.Jq, 78.40.Fy, 78.68.+m
- А.О. Волков, О.А. Рябушкин. Приборы и техника эксперимента, N 5, 121 (2001)
- А.А. Герасимович, С.В. Жоховцев, Г. Гобш, Д.С. Доманевский. ФТП, 39 (6), 729 (2005)
- В.А. Тягай, О.В. Снитко. Электроотражение света в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1980)
- А.М. Евстигнеев, О.В. Снитко, Л.В. Артамонов, П.А. Генцар, А.Н. Красико. УФЖ, 31 (5), (1986)
- А.М. Евстигнеев, О.В. Синтко, А.Н. Красико, П.А. Генцар, Е.В. Моздор. УФЖ, 32 (2), 269 (1987)
- Ю. Питер, М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002)
- М. Кардона. Модуляционная спектроскопия (М., Мир, 1972)
- Ю.В. Воробьев, В.Н. Добровольский, В.И. Стриха. Методы исследования полупроводников (Киев, Вища шк., 1988)
- Г.П. Пека, В.И. Стриха. Поверхностные и контактные явления в полупроводниках (Киев, Лыбидь, 1992)
- D.E. Aspnes. Phys. Rev. B, 10 (10), 4228 (1974)
- О.И. Гужва, П.А. Генцар, А.М. Евстигнеев, А.Н. Красико, Н.Д. Марчук, Т.Н. Николаева, О.В. Снитко, В.П. Черкашин. ФТП, 21 (8), 1408 (1987)
- D.E. Aspnes. Surf. Sci., 37, 418 (1973)
- М.Б. Гусева, Е.М. Дубинина. Физические основы твердотельной электроники (М., Изд-во МГУ, 1986)
- Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1976)
- О.Ю. Борковская, С.А. Груша, Н.Л. Дмитрук, А.М. Евстигнеев, Н.А. Клебанова, Р.В. Конакова, А.Н. Красико, К.А. Исмаилов, И.К. Синищук, М.Е. Лисогорский. ЖТФ, 55 (10), 1977 (1985)
- А.М. Евстигнеев, П.А. Генцар, С.А. Груша, Р.В. Конакова, А.Н. Красико, О.В. Снитко, Ю.А. Тхорик. ФТП, 21 (6), 1138 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
