Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние экстремальных доз радиации на характеристики SiC-детекторов ядерных частиц
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 24 января 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.
Выполненные на основе современных CVD-пленок SiC детекторы облучались протонами с энергией 8 МэВ при дозе 3· 1014 см-2. Концентрация первично введенных дефектов составила ~ 1017 см-3, что на 3 порядка величины превысило содержание исходных нескомпенсированных доноров. Наступившая глубокая компенсация проводимости позволила проводить измерения характеристик детекторов в двух режимах включения - обратном и прямом направлении. Основные характеристики сравнительно с дозой 1· 1014 см-2 ухудшались не более чем в 1.7 раза. Однако наблюдалось возникновение эдс поляризации, что указывает на накопление радиационными дефектами объемного заряда. PACS: 85.60.Gz
- http://rd50.web.cern,ch/rd50/
- А.М. Иванов, А.А. Лебедев, Н.Б. Строкан. ФТП, 40, 886 (2006)
- А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 38, 129 (2004)
- Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, Н.С. Савкина, А.А. Лебедев, В.В. Козловский, M. Syvajarvi, R. Yakimova. ФТП, 38, 841 (2004)
- Н.Б. Строкан. Письма ЖТФ, 24, (5), 44 (1998)
- A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava, S. Ferrero, F. Giorgis. J. Appl. Phys., 98, 053 706 (2005)
- В.К. Еремин, Н.Б. Строкан, О.П. Чикалова-Лузина. ФТП, 19, 70 (1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
