"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Дисперсия и неустойчивость дрейфовых волн в мелкослоистой полупроводниковой структуре
Булгаков А.А.1, Шрамкова О.В.1
1Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 30 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.

Рассмотрены дрейфовые волны в мелкослоистой полупроводниковой периодической структуре, помещенной в электрическое поле, под действием которого возникает дрейф носителей разного знака. Показано, что дрейфовые волны в такой структуре могут распространяться под углом к направлению тока, а их свойства определяются толщинами слоев и направлением распространения. Эти волны образуются из волн концентрации в отдельных слоях, т. е. являются "коллективными" волнами. Получены условия возникновения неустойчивостей и аналитические соотношения для инкрементов нарастания. Возникновение неустойчивостей связано с обменом энергией между дрейфовыми волнами отдельных слоев. PACS: 73.20.Mf
  • Я.Б. Файнберг, Н.А. Хижняк. ЖТФ, 25, 711 (1955)
  • С.М. Рытов. ЖЭТФ, 29, 605 (1955)
  • Е.П. Богданов, Ю.А. Романов, В.М. Трошин. ЖТФ, 45, 32 (1975)
  • А.Б. Михайловский. Теория плазменных неустойчивостей. Т. 1 Неустойчивости однородной плазмы (М., Атомиздат, 1975)
  • А.И. Ахиезер, Я.Б. Файнберг. Докл. АН СССР, 69, 555 (1949)
  • O. Buneman. Phys. Rev. Lett., 1, 8 (1958)
  • O. Buneman. Phys. Rev., 115, 503 (1959)
  • D. Bohm, E.P. Gross. Phys. Rev., 75, 1864 (1949)
  • А.Б. Михайловский, Э.А. Пашицкий. ЖЭТФ, 48, 1787 (1965)
  • Ф.Г. Басс, А.А. Булгаков, А.П. Тетервов. Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками (М., Наука, 1989)
  • А.И. Ахиезер, И.А. Ахиезер, Р.В. Половин, А.Г. Ситенко, К.Н. Степанов. Электродинамика плазмы (М., Наука, 1974)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.