"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптическое отражение и бесконтактное электроотражение от слоев GaAlAs с периодически расположенными квантовыми ямами GaAs
Чалдышев В.В.1, Школьник А.С.1, Евтихиев В.П.1, Holden T.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Brooklyn College of the City University of New York, USA
Поступила в редакцию: 25 декабря 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.

В диапазоне энергий фотонов от 1 до 2 эВ проведены исследования оптического отражения и электроотражения от слоев AlGaAs с периодически расположенными квантовыми ямами GaAs различной толщины. Установлено, что спектральная зависимость коэффициента отражения содержит три основных вклада: отражение от границы воздух-среда; интерференционное отражение, обусловленное периодической модуляцией коэффициента преломления из-за различий его значений для материалов ям и барьеров; отражение, связанное с взаимодействием электромагнитных волн с экситонными состояниями в квантовых ямах. Исследование спектров отражения показало, что эти вклады имеют различные зависимости от температуры, угла падения и поляризации, однако количественное разделение различных вкладов весьма затруднительно. Для выделения в оптических спектрах вклада, обусловленного взаимодействием света с экситонными состояниями, разработан подход на основе бесконтактного измерения спектров оптического электроотражения. Показано, что применение такой методики позволяет определить параметры экситонных состояний в квантовых ямах. PACS: 78.67.De, 73.21.Fg, 78.40.Fy
  • E.L. Ivchenko. Optical spectroscopy of semiconductor nanostructures (Alpha Science International, Harrow, UK, 2005)
  • Е.Л. Ивченко, А.И. Несвижский, С. Йорда. ФТТ, 36, 2118 (1994)
  • В.А. Кособукин, М.М. Моисеева. ФТТ, 37, 3694 (1995)
  • Е.Л. Ивченко, В.П. Кочерешко, А.В. Платонов, Д.Р. Яковлев, А. Вааг, В. Оссау, Г. Ландвер. ФТТ, 39, 2072 (1997)
  • E.L. Ivchenko, M. Willander. Phys. Status Solidi B, 215, 199 (1999)
  • L.I. Deych, A.A. Lisyansky. Phys. Rev. B, 62, 4242 (2000)
  • T. Ikawa, K. Cho. Phys. Rev. B, 66, 85 338 (2002)
  • L. Pilozzi, A. D'Andrea, K. Cho. Phys. Rev. B, 69, 205 311 (2004)
  • M.M. Voronov, M.V. Erementchouk, L.I. Deych, A.A. Lisyansky. Phys. Rev. B, 70, 195 106 (2004)
  • V.P. Kochereshko, G.R. Pozina, E.L. Ivchenko, D.R. Yakovlev, A. Waag, W. Ossau, G. Landwehr, R. Hellmann, E.O. Gobel. Superlatt. Microstruct., 15, 471 (1994)
  • Y. Merle d'Aubigne, A. Wasiela, H. Mariette, T. Dietl. Phys. Rev. B, 54, 14 003 (1996)
  • J. Sadowski, H. Mariette, A. Wasiela, R. Andre, Y. Merle d'Aubigne, T. Dietl. Phys. Rev. B, 56, 1664 (1997)
  • M. Hubner, J. Kuhl, T. Stroucken, A. Knorr, S.W. Koch, R. Hey, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., 76, 4199 (1996)
  • C. Ell, J. Prineas, T.R. Nelson, jr., S. Park, H.M. Gibbs, G. Khitrova, S.W. Koch. Phys. Rev. Lett., 80, 4795 (1998)
  • G.R. Hayes, J.L. Staehli, U. Oesterle, B. Deveaud, R.T. Phillips, C. Ciuti. Phys. Rev. Lett., 83, 2837 (1999)
  • J.P. Prineas, C. Ell, E.S. Lee, G. Khitrova, H.M. Gibbs, S.W. Koch. Phys. Rev. B, 61, 13 863 (2000)
  • V.P. Evtikhiev, A.B. Pevtsov, A.V. Sel'kin, A.S. Shkolnik, E.L. Ivchenko, V.V. Chaldyshev, L.I. Deych, A.A. Lisyansky, D.R. Yakovlev, M. Bayer. 13-=SUP=-th-=/SUP=- Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 2005)
  • М. Борн, Б. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1973)
  • F.H. Pollak. In: Properties of III--V Quantum Wells and Superlattices: EMI Data Reviews Series, ed. by P. Bhattacharya (INSPEC, London, 1996) p. 232
  • М. Кардона. Модуляционная спектроскопия (М., Мир, 1972)
  • S. Adachi. J. Appl. Phys., 58, R1 (1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.