Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические и фотоэлектрические свойства солнечных элементов SnO₂/Cd_0.4Zn_0.6S/CdTe, изготовленных электрохимическим методом

Абдинов А.Ш.¹, Мехтиев Н.М.¹, Мамедов Г.М.¹, Амирова С.И.¹

¹Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан Baku State University, Baku, Azerbaijan

Поступила в редакцию: 30 января 2006 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом электрохимического осаждения изготовлены солнечные элементы на основе гетеропереходов SnO₂/Cd_0.4Zn_0.6S/CdTe. Изучены зависимости их электрических и фотоэлектрических свойств от режима термической обработки. Показано, что термическая обработка снижает туннельные токи почти на 2 порядка величины. Определен оптимальный режим термической обработки (t=300^oC и tau=9 мин), при котором обеспечивается максимальная фоточувствительность исследуемых гетеропереходов (I_sc~ 21.2 мА/см², U_oc~813 мВ, eta=14.7%). PACS: 84.60.Jt; 82.45.Qr

K. Durose, P.R. Edwards, D.P. Halliday. J. Cryst. Growth, 197, 733 (1999)
M.A. Green. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 9, 123 (2001)
Г.С. Хрипунов. ФТП, 39, 1266 (2005)
P.R. Edwards, S.A. Galloway, K. Durose. Thin Sol. Films, 372, 385 (2000)
T.M. Razykov, B.Kh. Kadyrov, M.A. Khodyaeva. Phys. Status Solidi A, 91, 87 (1985)
Г.М. Мамедов, Г.А. Гасанов, С.И. Амирова. Неорг. матер., 41, 276 (2005)
A.Sh. Abdinov, N.M. Mamedov, H.A. Hasanov, S.I. Amirova. Thin Sol. Films, 480--481, 388 (2005)
N. Suyama, T. Arita, Y. Nishiyama, N. Ueno, S. Kitamura, M. Morono. Conf. Record 26th IEEE Photovolt. Specialist Conference (Anaheim, USA, 1997) p. 419
Б.Л. Шарма, Р.Л. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Радио и связь, 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель