"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Вольт-фарадные характеристики структур на основе p-Cd0.27Hg0.73Te с широкозонным варизонным слоем на поверхности
Васильев В.В.1, Машуков Ю.П.1
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.

-1 Исследуются вольт-фарадные характеристики структуры In-SiO2-<варизонный слой Cd0.71-0.27Hg0.29-0.73Te>-p-Cd0.27Hg0.73Te-GaAs при температуре 80 K и выше. Характеристики имеют гистерезис: при прямом ходе развертки (от обогащения к инверсии) характеристика близка к обычной высокочастотной, а при обратном ходе имеется протяженная полка, на которой емкость области пространственного заряда примерно в 2 раза больше. Для объяснения хода вольт-фарадной характеристики рассматривается эффект частичной экранировки варизонной части области пространственного заряда от электрического поля тестирующего сигнала, а также эффект формирования потенциальной ямы для электронов у поверхности за счет перезарядки донорных уровней. PACS: 73.40.Cg, 73.40.Lq
  • В.Н. Овсюк, Г.Л. Курышев, Ю.Г. Сидоров и др. Матричные фотоприемные устройства ИК диапазона (Новосибирск, Наука, 2001)
  • V.V. Vasilyev, D.G. Esaev, A.G. Klimenko et al. Proc. SPIE, 3061, 956 (1997)
  • В.Н. Овсюк, В.В. Васильев, Ю.П. Машуков. ФТП, 34 (7), 822 (2000)
  • Т.Е. Руденко, А.А. Садовничий, А.Н. Назаров, В.С. Лысенко. Поверхность. Физика, химия, механика, N 6, 61 (1986)
  • Т.Е. Ковалевская, В.Н. Овсюк. Автометрия, 40 (4), 57 (2004)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.