Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2007, выпуск 2 » Статья стр. 149
<<<>>>
Резонансный уровень галлия в сплавах Pb1-xSnxTe под давлением
Скипетров Е.П.1, Голубев А.В.2, Слынько В.Е.3
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (факультет наук о материалах), Москва, Россия
3Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 20 июля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.
PDF версия
Исследовано влияние давления на электрофизические свойства сплава n-Pb1-xSnxTe (x=0.21), легированного галлием. Обнаружены уменьшение концентрации свободных электронов с ростом температуры и увеличение концентрации при увеличении давления, свидетельствующие о стабилизации уровня Ферми резонансным уровнем галлия. В рамках двухзонного закона дисперсии Кейна по экспериментальным данным рассчитаны зависимости концентрации электронов и энергии Ферми от давления. Предложена диаграмма перестройки энергетического спектра носителей заряда в Pb1-xSnxTe : Ga под давлением, и определена скорость движения резонансного уровня галлия относительно середины запрещенной зоны под действием давления. PACS: 71.20.Nr, 71.55.-i, 72.20.My
  1. В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН, 145, 51 (1985)
  2. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. УФН, 172, 875 (2002)
  3. E.P. Skipetrov, E.A. Zvereva, L.A. Skipetrova, V.V. Belousov, A.M. Mousalitin. J. Cryst. Growth, 210, 292 (2000)
  4. E.P. Skipetrov, E.A. Zvereva, O.S. Volkova, E.I. Slyn'ko, A.M. Mousalitin. Mater. Sci. Eng. B, 91--92, 416 (2002)
  5. Е.П. Скипетров, Е.А. Зверева, Н.Н. Дмитриев, А.В. Голубев, В.Е. Слынько. ФТП, 40, 922 (2006)
  6. А.А. Аверкин, Г.С. Бушмарина, И.А. Драбкин, Ю.З. Санфиров. ФТП, 12, 2219 (1978)
  7. А.А. Аверкин, Г.С. Бушмарина, И.А. Драбкин, Ю.З. Санфиров. ФТП, 15, 197 (1981)
  8. Б.А. Акимов, Н.Б. Брандт, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов, С.М. Чудинов, О.Б. Яценко. Письма ЖЭТФ, 31, 304 (1980)
  9. Е.П. Скипетров. ФТП, 29, 1416 (1995)
  10. Е.С. Ицкевич, А.Н. Вороновский, А.Ф. Гаврилов, В.А. Сухопаров. ПТЭ, 161 (1966)
  11. Н.Б. Брандт, Я.Г. Пономарев. ЖЭТФ, 55, 1215 (1968)
  12. L.D. Jennings, C.A. Swenson. Phys. Rev., 112, 31 (1958)
  13. J. Melngailis, J.A. Kafalas, T.C. Harman. J. Phys. Chem. Sol. Suppl., 32, 407 (1971)
  14. J. Melngailis, T.C. Harman, J.A. Kafalas. In: Physics of IV-VI Semiconductors, ed. by S. Rabii (N.Y.--London, Gordon and Breach, 1974) p. 59
  15. Л.М. Каширская Л.И. Рябова, О.И. Тананаева, Н.А. Широкова. ФТП, 24, 1349 (1990)
  16. Б.А. Акимов, Н.Б. Брандт, А.М. Гаськов, В.П. Зломанов, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. ФТП, 17, 87 (1983)
  17. Б.А. Акимов, А.В. Албул, Е.В. Богданов, В.Ю. Ильин. ФТП, 28, 232 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme