Методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы соединения n-CuIn5Se8 гексагональной модификации. На основании экспериментальных исследований его термического взаимодействия с кислородом воздуха предложен метод получения новых гетеропереходов окисел/n-CuIn5Se8. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства полученных структур. Показано, что процесс взаимодействия CuIn5Se8 гексагональной модификации с кислородом воздуха обеспечивает получение гетеропереходов с высокой фоточувствительностью. Сделан вывод о возможности применения новой технологии при создании широкополосных фотопреобразователей на основе кристаллов CuIn5Se8. PACS: 61.10.-i, 61.82.Fk
O. Lundberg, M. Edoff, L. Stolt. ISES Abstract Book. Solar World Congress (Goteborg, Sweden, 2003)
И.В. Боднарь, Т.Л. Кушнер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М.В. Якушев. ЖПС, 69, 520 (2002)
И.В. Боднарь, С.Е. Никитин, Г.А. Ильчук, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М.В. Якушев. ФТП, 38, 1228 (2004)
И.В. Боднарь, Е.С. Дмитриева, С.Е. Никитин, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. ФТП, 39, 426 (2005)
U.C. Boehnke, G. Kuhn. J. Mater. Sci., 22, 1635 (1987)
Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)
Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
E. Hernandez. Cryst. Res. Technol., 33, 285 (1988)
S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Willey Interscience Publ., 1981)
Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.