Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2007, выпуск 2 » Статья стр. 217
<<<>>>
Управление временем жизни носителей заряда в высоковольтных p-i-n-диодах на основе гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs
Солдатенков Ф.Ю.1, Данильченко В.Г.1, Корольков В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.
PDF версия
На примере гетероструктур InGaAs/GaAs изучена возможность управления эффективным временем жизни неравновесных носителей заряда посредством контролируемого рассогласования по параметру решетки сопрягаемых материалов гетероструктуры. Установлена связь между соотношением толщины и состава слабо легированных слоев твердого раствора InGaAs и временем жизни неравновесных носителей заряда, что позволяет управлять временем жизни неравновесных носителей заряда в пределах от единиц наносекунд до микросекунды без существенного изменения концентрации подвижных носителей заряда. На основе проведенных исследований изготовлены импульсные p+-p0-pi-n0-n+-диоды, блокирующие напряжения до 500 В, коммутирующие токи >~= 10 A при временах переключения, не превышающих 10 нс. PACS: 68.55.Ln, 73.40.Kp, 73.50.Gr, 81.15.Gh, 85.30.De, 85.30.Kk
  1. Ж.И. Алфёров, В.И. Корольков, В.Г. Никитин, М.Н. Степанова, Д.Н. Третьяков. Письма ЖТФ, 2 (2), 201 (1976)
  2. В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ю.Н. Лузин, С.И. Пономарёв, А.В. Рожков, Г.И. Цвилёв. Электрон. техн., сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы, вып. 5 (88), 30 (1981)
  3. Л.Я. Золотаревский. Автореф. канд. дисс. (НИИ ТЭЗ им. М.И. Калинина, Таллин, 1984)
  4. G. Achkinazi, M. Leibovich, B. Meyler, M. Nathan, L. Zolotarevski, O. Zolotarevski. USA Pat. N 5733815, опубликован 31.03.1998
  5. Л.С. Берман, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ф.Ю. Солдатенков. ФТП, 34 (5), 558 (2000)
  6. V.V. Chaldyshev, S.V. Novikov. In: Semiconductor technology: Processing and novel fabrication techniques, ed. by M. Levinshtein, M. Shur (John Wiley \& Song, Inc., 1997) p. 165
  7. J.C. Bourgoin, H.J. von Bardeleben, D. Stievenard. J. Appl. Phys., 64 (9), R65 (1988)
  8. M. Skowronski, J. Lagowski, M. Mil'shtein, C.H. Kang, F.P. Dabkowski, A. Hennel, and H.C. Gatos. J. Appl. Phys., 62 (9), 3791 (1987)
  9. T. Wosinski. J. Appl. Phys., 65 (4), 1566 (1989)
  10. T. Wosinski, O. Yastrubchak, A. Makosa, T. Figielski. J. Phys.: Condens. Mater., 12, 10 153 (2000)
  11. G.P. Watson, D.G. Ast, T.L. Anderson, B. Pathangey, Y. Hayakawa. J. Appl. Phys., 71 (7), 3399 (1992)
  12. Ф.Ю. Солдатенков. Автореф. канд. дисс. (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, СПб., 2001)
  13. Ф.Ю. Солдатенков, В.П. Улин, А.А. Яковенко, О.М. Фёдорова, С.Г. Конников, В.И. Корольков. Письма ЖТФ, 25 (21), 15 (1999)
  14. R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 47 (3), 322 (1985); Appl. Phys. Lett., 49 (4), 229 (1986)
  15. Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводниковых диодов в импульсном режиме (М., Наука, 1968) с. 263
  16. А. Полищук. Компоненты и технологии, вып. 5, 6 (2004); http://www.ixysrf.com/pdf/briefs/250vGaAsDiodeBrief.pdf

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme