"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Ферромагнетизм и аномальный транспорт в GaAs, легированном имплантацией ионов Mn и Mg
Кульбачинский В.А.1, Гурин П.В.1, Данилов Ю.А.2, Малышева Е.И.2, Horikoshi Y.3, Onomitsu K.3
1Московский государственный университет (кафедра физики низких температур), Москва, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
3School of Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1, Okubo, Tokyo 16, Japan
Поступила в редакцию: 10 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

Синтезированы и исследованы слои GaAs, легированного имплантацией ионов Mn, а также ионов Mg для увеличения концентрации дырок. Измерения с помощью SQUID-магнетометра показали наличие ферромагнетизма при температурах до 400 K, что связывается с образованием в результате высокотемпературного отжига наряду с твердым раствором Ga1-xMnxAs кластеров MnAs и MnyGa1-y. При температурах от 4.2 до 200 K наблюдался аномальный эффект Холла. При увеличении температуры от 4.2 K колоссальное отрицательное магнетосопротивление переходило в гигантское положительное при T~35 K. PACS: 73.50.Jt, 73.61.Ey, 75.47.-m, 75.50.Pp
  • Z-5pt0.6pt--
  • I. v Zutic, J. Fabian, S. Das Sarma. Rev. Mod. Phys., 76, 323 (2004)
  • В.А. Иванов, Т.Г. Аминов, В.М. Новотворцев, В.Т. Калинников. Изв. АН. Сер. хим., N 11, 2255 (2004)
  • H. Ohno. J. Magn. Magn. Mater., 200, 110 (1999)
  • H. Ohno, F. Matsukura. Sol. St. Commun., 117, 179 (2001)
  • T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, D. Ferrand. Science, 287, 1019 (2000)
  • T. Jungwirth, K.Y. Wang, J. Mav sek, K.W. Edmonds, J. Konig, J. Sinova, M. Polini, N.A. Goncharuk, A.H. Mac Donald, M. Sawicki, A.W. Rushforth, R.P. Campion, L.X. Zhao, C.T. Foxon, B.L. Gallagher. Phys. Rev. B, 72, 165 204 (2005)
  • T. Hayashi, Y. Hashimoto, S. Katsumoto, Y. Iye. Appl. Phys. Lett., 78, 1691 (2001)
  • K.C. Ku, S.J. Potashnik, R.F. Wang, S.H. Chun, P. Schiffer, N. Samarth, M.J. Seong, A. Mascarenhas, E. Johnston-Halperin, R.C. Myers, A.C. Gossard, D.D. Awschalom. Appl. Phys. Lett., 82, 2302 (2003)
  • Y. Ishiwata, M. Watanabe, R. Eguchi, T. Takeuchi, Y. Harada, A. Chainani, S. Shin, T. Hayashi, Y. Hashimoto, S. Katsumoto, Y. Iye. Phys. Rev. B, 65, 233 201 (2002)
  • T. Jungwirth, J. Mav sek, J. Sinova, A.H. Mac Donald. Phys. Rev. B, 68, 161 202 (2003)
  • Y.D. Park, J.D. Lim, K.S. Suh, S.B. Shim, J.S. Lee, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, Y.S. Kim, Z.G. Khim, R.G. Wilson. Phys. Rev. B, 68, 085 210 (2003)
  • K.M. Yu, W. Walukiewicz, T. Wojtowicz, W.L. Lim, X. Liu, U. Bindley, M. Dobrowolska, J.K. Furdyna. Phys. Rev. B, 68, 041 308 (2003)
  • T. Komori, T. Ishikawa, T. Kuroda, J. Yoshino, F. Minami, S. Koshihara. Phys. Rev. B, 67, 115 203 (2003)
  • K. Onomitsu, H. Fukui, T. Maeda, Y. Hirayama, Y. Horikoshi. J. Cryst. Growth, 278, 699 (2005)
  • K. Onomitsu, H. Fukui, T. Maeda, Y. Hirayama, Y. Horikoshi. J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 1746 (2004)
  • N. Theodoropoulou, A.F. Hebard, M.E. Overberg, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, S.N.G. Chu, R.G. Wilson. Phys. Rev. Lett., 89, 107 203 (2002)
  • C. Chen, M. Cai, X. Wang, S. Xu, M. Zhang, X. Ding, Y. Sun. J. Appl. Phys., 87, 5636 (2000)
  • Y. Shon, Y.S. Park, K.J. Chung, D.J. Fu, D.Y. Kim, H.S. Kim, H.J. Kim, T.W. Kang, Y. Kim, X.J. Fan, Y.J. Park. J. Appl. Phys., 96, 7022 (2004)
  • O.D.D. Couto, Jr., M.J.S.P. Brasil, F. Iikawa, C. Giles, C. Adriano, J.R.R. Bortoleto, M.A.A. Pudenzi, H.R. Gutierrez, I. Danilov. Appl. Phys. Lett., 86, 071 906 (2005)
  • H. Shimizu, T. Hayashi, T. Nishinaga, M. Tanaka. Appl. Phys. Lett., 74, 398 (1999)
  • P.A. Korzhavyi, I.A. Abrikosov, E.A. Smirnova, L. Bergqvist, P. Mohn, R. Mathieu, P. Svedlindh, K. Sadowski, E.I. Isaev, Yu.Kh. Vekilov, O. Eriksson. Phys. Rev. Lett., 88, 187 202 (2002)
  • A. Wolos, M. Kaminska, M. Palczewska, A. Twardowski, X. Liu, T. Wojtowicz, J.K. Furdyna. J. Appl. Phys., 96, 530 (2004)
  • J.P. de Souza, I. Danilov, H. Boudinov. Rad. Eff. Def. Solids, 147, 109 (1998)
  • M. Tanaka, J.P. Harbison, J. DeBoeck, T. Sands, B. Philips, T.L. Cheeks, V.G. Keramidas. Appl. Phys. Lett., 62, 1565 (1993)
  • Ю.А. Данилов, А.В. Круглов, Е.А. Питиримова, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, М. Бехар, М.А.А. Пудензи. Изв. РАН. Сер. физ., 68 (1), 65 (2004)
  • F. Matsukura, H. Ohno, A. Shen, Y. Sugawara. Phys. Rev. B, 57, R2037 (1998)
  • K.W. Edmonds, R.P. Campion, K.-Y. Wang, A.C. Neumann, B.L. Gallagher, C.T. Foxon, P.C. Main. J. Appl. Phys., 93, 6787 (2003)
  • T. Kasuya. Progr. Theor. Phys., 16, 45 (1956)
  • D. Serrate, J.M. De Teresa, P.A. Algarabel, M.R. Ibarra, J. Galibert. Phys. Rev. B, 71, 104 409 (2005)
  • S.U. Yuldashev, Y. Shon, Y.H. Kwon, D.J. Fu, D.Y. Kim, H.J. Kim, T.W. Kang, X. Fan. J. Appl. Phys., 90, 3004 (2001)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.