"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О влиянии сужения запрещенной зоны на поверхностные рекомбинационные процессы в кремнии
Саченко А.В.1, Соколовский И.О.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 13 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

Учтено влияние эффекта сужения зон на величины эффективных скоростей поверхностной рекомбинации в кремнии. Показано, что эффект сужения зон приводит к увеличению эффективной скорости поверхностной рекомбинации в случае, когда концентрация носителей заряда на поверхности больше, чем в объеме, и к ее уменьшению в противоположном случае. Рассчитано влияние эффекта сужения зон на напряжение разомкнутой цепи в кремниевых солнечных элементах с учетом изменения вклада поверхностной рекомбинации. PACS: 71.20.Mq, 71.55.Cn, 72.20.Jv, 73.50.Gr, 73.50.Pz, 84.60.Jt
  • D.D. Kleppinder, F.A. Lindholm. Sol. St. Electron., 14, 407 (1971)
  • Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, Ф.Н. Боровик. ФТП, 30 (10), 1767 (1996)
  • P.P. Altermatt, A. Schenk, F. Geelhaar, G. Heiser. J. Appl. Phys., 93 (3), 1598 (2003)
  • А. Блихер. Физика силовых приборов и транзисторов (Л., Энергоатомиздат, 1986)
  • A.W. Blakers, M.A. Green, E.M. Keller. J. Appl. Phys., 57 (2), 591 (1985)
  • A.P. Gorban, A.V. Sachenko, V.P. Kostylyov, N.A. Prima. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 3 (3), 322 (2000)
  • В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем метал--диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
  • Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)
  • A.V. Sachenko, A.P. Gorban, V.P. Kostylyov. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 3 (1), 5 (2000)
  • А.В. Саченко, А.П. Горбань, В.П. Костылев, И.О. Соколовский. ФТП, 40 (8), 909 (2006)
  • A. Hangleiter, R. Hacker. Phys. Rev. Lett., 65, 215 (1990)
  • А.В. Саченко, О.В. Снитко. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников (Киев, Наук. думка, 1984)
  • E.K. Banghart, J.L. Gray, R.I. Schwartz. Proc. 20th IEEE Photovolt. Spec. Conf. (Las Vegas, 1988) [Conf. Rec. (N. Y., 1988)] v. 1, p. 717
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.