"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
К теории стационарных плоских волн ударной ионизации в полупроводниках
Кюрегян А.С.1
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 15 августа 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

Построена общая аналитическая теория стационарных плоских волн ударной ионизации в полупроводниковых приборах при произвольных зависимостях скоростей дрейфа и коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок от напряженности электрического поля. Получены формулы, описывающие структуру фронта волн и позволяющие вычислить его основные параметры --- скорость, толщину, максимальную напряженность поля, концентрации носителей заряда и напряженность поля за фронтом --- при заданных плотности тока и уровне легирования полупроводника. Указаны ограничения теории, обусловленные пренебрежением диффузионными потоками и использованием континуального приближения. PACS: 72.20.Ht, 72.20.Jv, 85.30.De, 85.30.Mn, 85.30.Kk
  • А.Н. Лагарьков, И.М. Руткевич. Волны электрического пробоя в ограниченной плазме (М., Наука, 1989) с. 55
  • B.C. DeLoach, D.L. Scharfetter. IEEE Trans. Electron. Dev, ED-17, 9 (1970)
  • D.J. Bartelink, D.L. Scharfetter. Appl. Phys. Lett., 14, 320 (1969)
  • И.В. Грехов, А.Ф. Кардо-Сысоев. Письма ЖТФ, 5 (15), 950 (1979)
  • И.В. Грехов, В.М. Тучкевич. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами (Л., Наука, 1988)
  • P. Rodin, I. Grekhov. Appl. Phys. Lett., 86, 243 504 (2005)
  • P. Rodin, A. Rodina, I. Grekhov. J. Appl. Phys., 98, 094506 (2005)
  • И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-переходов в полупроводниках (Л., Энергия, 1980).
  • А.С. Кюрегян, С.Н. Юрков. ФТП, 23, 1819 (1989)
  • Н.Г. Басов, А.Г. Молчанов, А.С. Насибов и др. ЖЭТФ, 70 (5), 1751 (1976)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.