"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности латеральной электропроводности легированных островковых Si/Ge-структур p-типа
Гергель В.А.1, Бурбаев Т.М.2, Курбатов В.А.2, Погосов А.О.2, Рзаев М.2, Сибельдин Н.Н.2, Щелева И.М.1, Якупов М.Н.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 9 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2007 г.

Выполнен численный расчет проводимости структур с профилированным легированием вдоль направления протекания тока с учетом разрывов зон на границах высокоомных и низкоомных областей. Найдено, что вольт-амперные характеристики таких структур должны иметь S-образный вид, в пределе с отрицательным участком вольт-амперной характеристики, при этом критическим параметром теории является резкость гетероперехода между узкозонной и широкозонной составляющими структуры и степень легирования. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии изготовлены легированные островковые структуры Si/Si1-xGex p-типа проводимости с различными размерами островков и различными величинами разрывов зон. Результаты теоретического анализа сопоставлены с результатами измерений латеральной электропроводности выращенных структур. PACS: 73.40.Lq, 73.61.Cw, 73.63.Bd
  • В.А. Гергель, Ю.В. Гуляев, В.А. Курбатов, М.Н. Якупов. ФТП, 39, 453 (2005)
  • В.А. Гергель, Ю.В. Гуляев, М.Н. Якупов. ФТП, 39, 1075 (2005)
  • В.А. Гергель, В.А. Курбатов, М.Н. Якупов. ФТП, 40, 446 (2006)
  • А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, P. Werner. ФТП, 38, 1239 (2004)
  • R. Stratton. Phys. Rev., 126, 2002 (1962)
  • M.W. Dashiell, U. Denker, C. Muller, G. Costantini, C. Manzano, K. Kern, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 80, 1279 (2002)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.