Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2007, выпуск 8 » Статья стр. 941
<<<>>>
Вольт-амперные характеристики изотипных переходов SiC--SiC, изготовленных методом прямого твердофазного сращивания
Иванов П.А.1, Костина Л.С.1, Потапов А.С.1, Самсонова Т.П.1, Белякова Е.И.1, Аргунова Т.С.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 декабря 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.
PDF версия
Приведены результаты исследования вольт-амперных характеристик изотипных структур SiC-SiC, изготовленных прямым твердофазным сращиванием монокристаллических пластин 6H-SiC n-типа проводимости с концентрацией доноров ~1016 см-3. Первоначальное соединение пластин осуществлялось в деионизованной воде. Для усиления сцепления проводился термический отжиг структуры при температуре 1250oC. Все особенности измеренных вольт-амперных характеристик непротиворечиво объясняются в рамках гипотезы о том, что граница SiC-SiC представляет собой переменный по толщине канал, заполненный собственным окислом SiOx толщиной 10-100 нм. Минимальное измеренное дифференциальное сопротивление структуры (6 Ом · см2) ограничивается протеканием тока в слое окисла по механизму токов, ограниченных пространственным зарядом. PACS: 68.35.Ct, 73.40.Lq, 73.40.Ty, 81.20.Vj
  1. Q.-Y. Tong, U. Gosele. Semiconductor Wafer Bonding: Science and Technology (J. Wiley\&Sons, Inc., 1999)
  2. F. Letertre, E. Jalaguier, L. Di Cioccio, F. Templier, J.M. Bluet, C. Banc, I. Matko, B. Chenevier, E. Bano, G. Guillot, T. Billon, B. Aspar, R. Madar, B. Ghyselen. Mater. Sci. Forum, 389--393, 151 (2002)
  3. F. Letertre, J. Brault, I. Matko, F. Enjalbert, E. Bellet-Amalric, G. Feuillet, C. Richtarch, B. Faure, L. DiCioccio, R. Madar, B. Daudin, E. Monroy. Physica Status Solidi C, 0, 2103 (2003)
  4. F. Letertre, N. Daval, F. Templier, E. Bano, D. Planson, L. DiCioccio, E. Jalaguier, J.M. Bluet, T. Billon, R. Madar, J.P. Chante. Mater. Sci. Forum, 433--436, 813 (2003)
  5. G.N. Yushin, A.G. Kvit, R. Gollazo, Z. Sitar. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 742, K-2.5 (2003)
  6. И.В. Грехов, Л.С. Костина, Т.С. Аргунова, Е.И. Белякова, J.H. Je, П.А. Иванов, Т.П. Самсонова. Письма ЖТФ, 32 (10), 76 (2006)
  7. M.M. Anikin, P.A. Ivanov, A.A. Lebedev, S.N. Pytko, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin. In: Semiconductor Interfaces and Microstructures, ed. by Z.C. Feng (World Scientific, Singapore, 1992) p. 280
  8. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  9. П.А. Иванов, В.Н. Пантелеев, Т.П. Самсонова, А.В. Суворов, В.Е. Челноков. ФТП, 27, 1146 (1993)
  10. П.А. Иванов, А.О. Константинов, В.Н. Пантелеев, Т.П. Самсонова, В.Е. Челноков. ФТП, 28, 1172 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme